Semi ON / Semi Catalizzatore
- Introduzione
- Più nuovi prodotti
Introduzione
Semi ON / Semi Catalizzatore
Più nuovi prodotti
| Immagine | parte # | Descrizione | fabbricante | Di riserva | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Metropolitana NPT TO-264 della saldatrice di FGL40N120ANDTU 40A 1200V singola IGBT |
IGBT NPT 1200 V 64 A 500 W attraverso il foro TO-264-3
|
|
|
|
|
|
|
Fossa IGBT 25A 1200V di FGA25N120ANTD TO-3P NPT |
IGBT NPT e fossa 1200 V 50 A 312 W attraverso il foro TO-3P
|
|
|
|
|
|
|
Regolatori di tensione di MMSZ5245BT1G 500mW SOD123 Zener |
Supporto di superficie SOD-123 del diodo Zener 15 V 500 Mw ±5%
|
|
|
|
|
|
|
Soppressori transitori di tensione di SMBJ18A DO-214AA SMBJ Transzorb |
Diodo di Ipp TV del morsetto
|
|
|
|
|
|
|
Supporto di superficie del diodo 225mW SOT−23 dei regolatori di tensione di BZX84C12LT1G Zener |
Supporto di superficie SOT-23-3 (TO-236) del diodo Zener 12 V 250 Mw ±5%
|
|
|
|
|
|
|
Raddrizzatori ultraveloci 100−600V di potere di modo 16A del commutatore di MUR1620CTG |
Un catodo comune a serie di diodi 200 V 8A di 1 paio attraverso il foro TO-220-3
|
|
|
|
|
|
|
Transistor bipolari TO-3P di NJW0281G 50W NPN PNP |
Transistor bipolare (BJT) NPN 250 V 15 A 30 MHz 150 W Foro passante TO-3P-3L
|
|
|
|
|
|
|
Anti Hyperfast diodo parallelo 43A 1200V di HGTG11N120CND NPT GBT |
IGBT NPT 1200 V 43 A 298 W attraverso il foro TO-247-3
|
|
|
|
|
|
|
Regolatori veloci IC MC33340P della batteria della tassa 4.0mV 18V DIP8 |
Multi-chimica 8-PDIP di IC del caricatore
|
|
|
|
|
|
|
MT3cultura e cultura |
CMOS con il sensore 1600H x 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22) di immagine dell'unità di elab
|
|
|
|
|
|
|
AR0330CS1C12SPKA0-CP Flash Memory IC NUOVO E ORIGINALE |
Sensore di immagine CMOS 2304H x 1536V 2,2 μm x 2,2 μm 64-CSP (6.28x6.65)
|
|
|
|
|
|
|
BAT54HT1G Chip per circuiti integrati elettronici NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie SOD-323 del diodo 30 V 200mA
|
|
|
|
|
|
|
BAT54SLT1G Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE |
Supporto a serie di diodi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 della superficie del collegamento in serie 30 V
|
|
|
|
|
|
|
BAT54A Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie comune a serie di diodi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 dell'anodo 30 V 200mA di 1
|
|
|
|
|
|
|
CAT24C08WI-GT3 IC di memoria flash NUOVO E ORIGINALE |
² C 400 chilociclo 900 NS 8-SOIC di IC 8Kbit I di memoria di EEPROM
|
|
|
|
|
|
|
CAT25040P IC di memoria flash NUOVO E ORIGINALE |
Memoria IC 4Kbit SPI 8-PDIP di EEPROM
|
|
|
|
|
|
|
MC14551BCPG Chips IC elettronici Quad 2-Channel Analog Multiplexer |
4 Interruttore IC di circuito 2:1 280 Ohm 16-PDIP
|
|
|
|
|
|
|
TIL117M Componenti elettronici circuito integrato chip programma memoria |
Transistor optoisolatore con uscita di base 7500Vpk 1 canale 6-DIP
|
|
|
|
|
|
|
Fototransistor a doppio canale di MOCD213M 2500Vrms SOIC8 |
Il transistor del Optoisolator ha prodotto 2500Vrms 2 il Manica 8-SOIC
|
|
|
|
|
|
|
Circuito di percezione di Undervoltage della IMMERSIONE TO92 10mA IC MC34064P-5RAG |
Scolo aperto del supervisore o Manica aperto TO-92 (TO-226) del collettore 1
|
|
|
|
|
|
|
Transistor del silicio di media potenza 0.5A 300V 20W NPN di MJE340G |
Transistor bipolare (BJT) NPN 300 V 500 mA 20 W attraverso il foro TO-126
|
|
|
|
|
|
|
Raddrizzatori ultraveloci di potere del supporto di superficie di IC della gestione di potere di MURS260T3G |
Supporto di superficie SMB del diodo 600 V 2A
|
|
|
|
|
|
|
Amplificatori operazionali doppi della semplice alimentazione di IC della gestione di potere di LM358DR2G |
Amplificatore per uso generico 2 Circuito 8-SOIC
|
|
|
|
|
|
|
Eliminazione del ciclo al suolo di IC Chip Logic Gate Optocouplers For del computer di HCPL0600R2 10bps |
Manica aperto 5kV/µs CMTI 8-SOIC del collettore 3750Vrms 1 del Optoisolator 10Mbps dell'uscita di lo
|
|
|
|
|
|
|
Positivo del regolatore di commutazione di spinta di MC34063ADR2G/1.25V regolabile negativo |
Dollaro, regolatore di commutazione di spinta uscita regolabile positiva o negativa 1.25V 1 1.5A (co
|
|
|
|
|
|
|
diodo MM3Z18VT1G dei regolatori di tensione di 200mW 18V SOD−323 Zener |
Supporto di superficie SOD-323 del diodo Zener 18 V 300 Mw ±6%
|
|
|
|
|
|
|
La logica 74OL6011 ha prodotto il collettore aperto dell'opto dell'isolatore accoppiatore ottico ad alta velocità di IC 15MBd |
Il collettore aperto del Optoisolator 15MBd dell'uscita di logica, Schottky ha premuto 5300Vrms 1 il
|
|
|
|
|
|
|
Circuito integrato Chip Schottky Clamped 5kV/µS CMTI 6-DIP di 74OL6010 5300Vrms |
Il collettore aperto del Optoisolator 15MBd dell'uscita di logica, Schottky ha premuto 5300Vrms 1 il
|
|
|
|
|
|
|
Regolatori di Chip High Performance Current Modded del circuito integrato di UC3845BD1R2G |
La spinta, positivo del regolatore di ritorno del raggio catodico, uscita capace di isolamento aumen
|
|
|
|
|
|
|
Diodo rettificatore di tipo ponte 1N4007 da 50 a 1000 volt 1,0 Ampere |
Diodo 1000 V 1A attraverso il foro DO-41
|
|
|
|