VISHAY
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Introduzione
VISHAY
Più nuovi prodotti
| Immagine | parte # | Descrizione | fabbricante | Di riserva | RFQ | |
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Diodo di commutazione veloce di caso di RoHS SOD123 SOT23 1N4148W-E3-08 |
Supporto di superficie SOD-123 del diodo 75 V 150mA
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ZOLLA di LL42-GS08 30V 200mA - 80 diodi Schottky del segnale |
Supporto di superficie SOD-80 MiniMELF del diodo 30 V 200mA
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Tensione VISHAY del contrappeso di potere di impulso di punta SMBJ170A-E3/52 600W 17V |
275V supporto di superficie DO-214AA (SMBJ) del diodo del morsetto 2.2A Ipp TV
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IRFP9240 Rettificatore a uso generale diodo P canale con 150W attraverso il foro |
P-Manica 200 V 12A (TC) 150W (TC) attraverso il foro TO-247AC
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Manica IRFP9240PBF del Mosfet 12A 200V P di potere di TO-247 VISHAY |
P-Manica 200 V 12A (TC) 150W (TC) attraverso il foro TO-247AC
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VO1400AEFTR Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Stato solido SPST-NO (1 forma A) 4-SOP (0,173", 4.40mm)
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VS-60CPQ150PBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Un catodo comune a serie di diodi 150 V 30A di 1 paio attraverso il foro TO-247-3
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VS-36MB160A Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Norma di monofase del raddrizzatore a ponte terminale D-34 di controllo di qualità di 1,6 chilovolt
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IRF640PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
N-canale 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) attraverso foro TO-220AB
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IRF620PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
N-canale 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) attraverso foro TO-220AB
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MBRB10100-E3/8W Nuovo e originale |
Diodo 100 V 10A montato in superficie TO-263AB (D2PAK)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI VS-HFA25PB60PBF |
Il diodo 600 V 25A attraverso il foro TO-247AC ha modificato
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI TCMT1107 |
Il transistor del Optoisolator ha prodotto 3750Vrms 1 il Manica 4-SOP
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI 1N5245B-TAP |
Diodo Zener 15 V 500 Mw ±5% attraverso il foro DO-35 (DO-204AH)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI SUD17N25-165-E3 |
N-Manica 250 V 17A (TC) 3W (tum), supporto TO-252AA della superficie 136W (TC)
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IRF620PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
N-canale 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) attraverso foro TO-220AB
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VS-63CPQ100PBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Diodo 1 coppia catodo comune 100 V 30A attraverso foro TO-247-3
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IRF9540PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
P-Manica 100 V 19A (TC) 150W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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IRF9640STRLPBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
P-Manica 200 V 11A (TC) 3W (tum), 125W (TC) ² PAK (TO-263) del supporto D della superficie
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IRF9630PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
P-Manica 200 V 6.5A (TC) 74W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Transistor ad effetto campo VS-ETH1506S-M3 NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie TO-263AB (² PAK del diodo 600 V 15A di D)
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VO0630T Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Optoisolatore di uscita logica 10MBd Open Drain 4000Vrms 2 Canale 1kV/μs CMTI 8-SOIC
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IRF640PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
N-canale 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) attraverso foro TO-220AB
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI VS-HFA25TB60PBF |
Diodo 600 V 25A attraverso il foro TO-220AC
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PDTC144ET diodo a chip nuovo e originale |
Transistor bipolare pre-biasato (BJT)
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V40150C-E3/4W Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Un catodo comune a serie di diodi 150 V 20A di 1 paio attraverso il foro TO-220-3
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRF830BPBF |
N-Manica 500 V 5.3A (TC) 104W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI S3D-E3/57T |
Supporto di superficie DO-214AB (SMC) del diodo 200 V 3A
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI SI3456DDV-T1-GE3 |
N-Manica 30 V 6.3A (TC) 1.7W (tum), supporto 6-TSOP della superficie 2.7W (TC)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI SUP85N03-04P-E3 |
N-Manica 30 V 85A (TC) 3.75W (tum), 166W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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