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epitaxial planar pnp transistor

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parole chiavi   [ epitaxial planar pnp transistor ]  Partita 27 prodotti.
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor bipolare (BJT) PNP 60 V 3 un supporto di superficie D-Pak di 50MHz 1 W
Transistor 60V 10A 50W di D45H8 NPN PNP attraverso il foro al rendimento elevato 220AB

Transistor 60V 10A 50W di D45H8 NPN PNP attraverso il foro al rendimento elevato 220AB

Transistor bipolare (BJT) PNP 60 V 10 A 50 W attraverso il foro TO-220
BEONE di superficie 23 del supporto dei transistor 140MHz 625mW di FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP 3

BEONE di superficie 23 del supporto dei transistor 140MHz 625mW di FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP 3

Transistor bipolare (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 100 V 800 mA 140MHz un supporto di superficie SOT-23
Supporto di superficie 417mW (tum) di Manica 60V 300mA (tum) dei transistor P di BSH201,215 NPN PNP

Supporto di superficie 417mW (tum) di Manica 60V 300mA (tum) dei transistor P di BSH201,215 NPN PNP

Supporto di superficie 417mW (tum) TO-236AB di P-Manica 60 V 300mA (tum)
2N7002PW Manica di superficie 60V 310mA (tum) 260mW dei transistor N del supporto NPN PNP

2N7002PW Manica di superficie 60V 310mA (tum) 260mW dei transistor N del supporto NPN PNP

Supporto di superficie 260mW (tum) SOT-323 di N-Manica 60 V 315mA (tum)
Tensione di saturazione bassa materiale del collettore del silicio dei transistor di 2SD1899 NPN PNP

Tensione di saturazione bassa materiale del collettore del silicio dei transistor di 2SD1899 NPN PNP

Transistor bipolare (BJT) PNP 60 V 10 A 50 W attraverso il foro TO-220
Tipo per tutti gli usi singola configurazione del transistor NPN di CC 0.15A di 2SD2227STPW 50V

Tipo per tutti gli usi singola configurazione del transistor NPN di CC 0.15A di 2SD2227STPW 50V

Transistor bipolare (BJT) NPN 50 V 150 mA 250MHz 300 Mw attraverso il foro SPT
PIMN31,115 NPN / PNP Resistor Transistor dotato di 500 MA 50V Dual Gate Transistor

PIMN31,115 NPN / PNP Resistor Transistor dotato di 500 MA 50V Dual Gate Transistor

Transistor bipolare pre-biased (BJT) 2 NPN - Pre-biased (dual) 50V 500mA 420mW Superficie montata 6-
TRANSISTOR PLANARE EPITASSIALE di BD140 3 Pin Transistor PNP

TRANSISTOR PLANARE EPITASSIALE di BD140 3 Pin Transistor PNP

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1.5 A 1.25 W Through Hole SOT-32-3
PZT2907A Transistor di commutazione planare Si-epitassiale Transistor Mosfet di potenza

PZT2907A Transistor di commutazione planare Si-epitassiale Transistor Mosfet di potenza

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 1 W Surface Mount SOT-223
Immagineparte #DescrizionefabbricanteDi riservaRFQ
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo
Transistor bipolare (BJT) PNP 60 V 3 un supporto di superficie D-Pak di 50MHz 1 W
Transistor 60V 10A 50W di D45H8 NPN PNP attraverso il foro al rendimento elevato 220AB

Transistor 60V 10A 50W di D45H8 NPN PNP attraverso il foro al rendimento elevato 220AB
Transistor bipolare (BJT) PNP 60 V 10 A 50 W attraverso il foro TO-220
BEONE di superficie 23 del supporto dei transistor 140MHz 625mW di FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP 3

BEONE di superficie 23 del supporto dei transistor 140MHz 625mW di FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP 3
Transistor bipolare (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 100 V 800 mA 140MHz un supporto di superficie SOT-23
Supporto di superficie 417mW (tum) di Manica 60V 300mA (tum) dei transistor P di BSH201,215 NPN PNP

Supporto di superficie 417mW (tum) di Manica 60V 300mA (tum) dei transistor P di BSH201,215 NPN PNP
Supporto di superficie 417mW (tum) TO-236AB di P-Manica 60 V 300mA (tum)
2N7002PW Manica di superficie 60V 310mA (tum) 260mW dei transistor N del supporto NPN PNP

2N7002PW Manica di superficie 60V 310mA (tum) 260mW dei transistor N del supporto NPN PNP
Supporto di superficie 260mW (tum) SOT-323 di N-Manica 60 V 315mA (tum)
Tensione di saturazione bassa materiale del collettore del silicio dei transistor di 2SD1899 NPN PNP

Tensione di saturazione bassa materiale del collettore del silicio dei transistor di 2SD1899 NPN PNP
Transistor bipolare (BJT) PNP 60 V 10 A 50 W attraverso il foro TO-220
Tipo per tutti gli usi singola configurazione del transistor NPN di CC 0.15A di 2SD2227STPW 50V

Tipo per tutti gli usi singola configurazione del transistor NPN di CC 0.15A di 2SD2227STPW 50V
Transistor bipolare (BJT) NPN 50 V 150 mA 250MHz 300 Mw attraverso il foro SPT
PIMN31,115 NPN / PNP Resistor Transistor dotato di 500 MA 50V Dual Gate Transistor

PIMN31,115 NPN / PNP Resistor Transistor dotato di 500 MA 50V Dual Gate Transistor
Transistor bipolare pre-biased (BJT) 2 NPN - Pre-biased (dual) 50V 500mA 420mW Superficie montata 6-
TRANSISTOR PLANARE EPITASSIALE di BD140 3 Pin Transistor PNP

TRANSISTOR PLANARE EPITASSIALE di BD140 3 Pin Transistor PNP
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1.5 A 1.25 W Through Hole SOT-32-3
PZT2907A Transistor di commutazione planare Si-epitassiale Transistor Mosfet di potenza

PZT2907A Transistor di commutazione planare Si-epitassiale Transistor Mosfet di potenza
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 1 W Surface Mount SOT-223
Mosfet planare epitassiale 2SB1560, di potere del silicio PNP audio

Mosfet planare epitassiale 2SB1560, di potere del silicio PNP audio
Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
Transistor planare epitassiale del silicio PNP, audio mosfet di potere 2SB1560

Transistor planare epitassiale del silicio PNP, audio mosfet di potere 2SB1560
Transistor bipolare (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50 MHz 100 W Foro passante TO-3P
Transistor di potenza planari epitassiali 2SC5707 del silicio NPN/di PNP per la commutazione a corrente forte

Transistor di potenza planari epitassiali 2SC5707 del silicio NPN/di PNP per la commutazione a corrente forte
Transistor bipolare (BJT) NPN 50 V 8 un supporto di superficie TP-FA di 330MHz 1 W
Tipo planare epitassiale del silicio PNP del transistor del Mosfet di potere 2SB1219A

Tipo planare epitassiale del silicio PNP del transistor del Mosfet di potere 2SB1219A
Transistor bipolare (BJT) PNP 50 V 500 mA 200MHz un supporto di superficie SMini3-G1 da 150 Mw
Stato originale nuovissimo planare epitassiale del silicio SANKEN del transistor di 2SA1295 PNP

Stato originale nuovissimo planare epitassiale del silicio SANKEN del transistor di 2SA1295 PNP
Transistor bipolare (BJT) PNP 230 V 17 un 35MHz 200 W attraverso il foro MT-200
Planare epitassiale di si del supporto di Chips Surface del circuito dei transistor BCP55

Planare epitassiale di si del supporto di Chips Surface del circuito dei transistor BCP55
Supporto di superficie bipolare SOT-223-4 del transistor (BJT) NPN 60 V 1,5 A 1,5 W
Transistor del modulo Mosfet di potenza EMD3T2R Uso generico (doppio transistor digitale)

Transistor del modulo Mosfet di potenza EMD3T2R Uso generico (doppio transistor digitale)
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
TIP3055 transistor del mosfet di alto potere dei transistor di potenza del silicio NPN

TIP3055 transistor del mosfet di alto potere dei transistor di potenza del silicio NPN
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
Transistor di potenza complementari TIP2955 che commutano il mosfet di potere basso del mosfet di potere

Transistor di potenza complementari TIP2955 che commutano il mosfet di potere basso del mosfet di potere
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
TRANSISTOR DI SUPERFICIE del SUPPORTO del multi dell'emettitore di MMBT3904-7-F SEGNALE del transistor NPN PICCOLO

TRANSISTOR DI SUPERFICIE del SUPPORTO del multi dell'emettitore di MMBT3904-7-F SEGNALE del transistor NPN PICCOLO
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
DDTC144EE-7-F NPN PRE-BIASED PICCOLO SEGNALE SOT-523 TRANSISTOR A MONTAGGIO SUPERFICIALE

DDTC144EE-7-F NPN PRE-BIASED PICCOLO SEGNALE SOT-523 TRANSISTOR A MONTAGGIO SUPERFICIALE
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount SOT-523
PICCOLO mosfet DI SUPERFICIE CI di potere del modulo del mosfet di potere del TRANSISTOR del SUPPORTO del SEGNALE SOT-23 di DDTC123ECA-7-F NPN PRE-BIASED

PICCOLO mosfet DI SUPERFICIE CI di potere del modulo del mosfet di potere del TRANSISTOR del SUPPORTO del SEGNALE SOT-23 di DDTC123ECA-7-F NPN PRE-BIASED
Transistor bipolare prepolarizzato (BJT) NPN - Prepolarizzato 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW A montaggio
Pc epitassiali del transistor 2L SOT-23 3000 del silicio di MMBT5401 PNP

Pc epitassiali del transistor 2L SOT-23 3000 del silicio di MMBT5401 PNP
Transistor bipolare (BJT) PNP 150 V 600 mA 300MHz un supporto di superficie SOT-23 da 350 Mw
Mosfet ad alta tensione di potere del mosfet di potere basso per tutti gli usi del transistor di BC856B SMD (PNP)

Mosfet ad alta tensione di potere del mosfet di potere basso per tutti gli usi del transistor di BC856B SMD (PNP)
Transistor bipolare (BJT) PNP 65 V 100 mA 150MHz un supporto di superficie SOT-23 da 350 Mw
Circuito elettrico del SUPPORTO PNP di BC858B del TRANSISTOR DI SUPERFICIE del SILICIO, CI programmabile

Circuito elettrico del SUPPORTO PNP di BC858B del TRANSISTOR DI SUPERFICIE del SILICIO, CI programmabile
Tipo chip originale del ponte del diodo di raddrizzatore di DDTC143XCA-7-F di IC dei diodi del fornitore della Cina del diodo di raddrizzatore

Tipo chip originale del ponte del diodo di raddrizzatore di DDTC143XCA-7-F di IC dei diodi del fornitore della Cina del diodo di raddrizzatore
Transistor bipolare prepolarizzato (BJT) NPN - Prepolarizzato 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW A montaggio
Chip istantaneo 60V di memoria di programma CI Chip Color TV CI del diodo di raddrizzatore di MMBT2907A-7-F

Chip istantaneo 60V di memoria di programma CI Chip Color TV CI del diodo di raddrizzatore di MMBT2907A-7-F
Transistor bipolare (BJT) PNP 60 V 600 mA 200MHz un supporto di superficie SOT-23-3 da 300 Mw
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