Pc epitassiali del transistor 2L SOT-23 3000 del silicio di MMBT5401 PNP
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Transistor bipolare (BJT) PNP 150 V 600 mA 300MHz un supporto di superficie SOT-23 da 350 Mw
Categoria:
Chip di IC di memoria flash
Prezzo:
Bargain
Metodo di pagamento:
T/T
Specifiche
Prodotto:
Transistor bipolari - BJT
Montaggio dello stile:
SMD/SMT
Configurazione:
Singolo
Polarità del transistor:
PNP
trasporto:
Preciso, aria, mare
Piccolo ordine:
Benvenuto
Punto culminante:
MMBT5401 Bipolar Transistors BJT
,150V PNP Epitaxial Silicon Transistor
,MMBT5401 PNP Epitaxial Silicon Transistor
Introduzione
TRANSISTOR DI COMMUTAZIONE PER TUTTI GLI USI DI MMBT5401PNP
La tensione -150voltalimenta 300mWatts
DATI MECCANICI
Caso: SOT-23, plastica
Terminali: Solderable per MIL-STD-750,
metodo 2026
Approssimativamente peso: 0.008gram
Marcatura: 2L
CARATTERISTICHE
silicio epitassiale di *PNP, progettazione planare.
tensione VCE=-150V del *Collector-emitter.
*Collector IC=-0.6A corrente.
* conformemente al ER RoHS 2002/95/EC
direttive.
frequenza fT >100MHz @ IC=- di *Transition
20mAdc, VCE=-6Vdc, f=100MHz.
DIMENSIONI DEL PROFILO SOT-23
| Spedizione |
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