Transistor ad alta tensione MMBT5551 dell'amplificatore per tutti gli usi del silicio NPN
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Transistor bipolare (BJT) NPN 160 V 600 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-23-3 da 350 Mw
Categoria:
Chip di IC di memoria flash
Prezzo:
Bargain
Metodo di pagamento:
T/T
Specifiche
Descrizione:
Transistor bipolari - BJT SOT23, NPN, 0.6A, 160V, HighVolt
TIPO:
Transistor bipolari - BJT
Nome:
Transistor
Numero del pezzo:
MMBT5551
Pacchetto:
SOT-23-3
Piccolo ordine:
Benvenuto
Punto culminante:
MMBT5551 High Voltage Transistor
,NPN Amplifier High Voltage Transistor
,NPN Silicon High Voltage Transistor
Introduzione
SOT-23 - Transistor di potenza e DarliCM GROUPons
Numero del pezzo
BC807-T CMBTA56-T CMBT4403-T CMBTA06 CMBT3906-T CMBT3906 CMBTA56 CMBTA42-T CMBT4401-T
CMBTA42 CMBT3904 CMBT4403 CMBTA92 CMBT5551 CMBT5401 CMBT5551-T CMBT3904-T CMBTA92-T
CMBTA06-T CMBT5401-T CMBT4401 CMBT9014 MMBT5551
Caratteristiche elettriche
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Mfr. # |
MMBT5551 |
| Montaggio dello stile | SMD/SMT |
| Polarità del transistor | NPN |
| Configurazione | Singolo |
| Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima | 160 V |
| Tensione di base VCBO del collettore | 180 V |
| Tensione emittenta-base VEBO | 6 V |
| Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore | 0,2 V |
| Corrente di collettore massima di CC | 0,6 A |
| Palladio - dissipazione di potere | 325 Mw |
| Prodotto fT di larghezza di banda di guadagno | 300 megahertz |
| Temperatura di funzionamento minima | - 55 C |
| Temperatura di funzionamento massima | + 150 C |
| Collettore di CC/min basso del hfe di guadagno | 80 a 10 mA, 5 V |
| HFE di guadagno corrente di CC massimo | 250 a 10 mA, 5 V |
| Tipo di prodotto | BJTs - transistor bipolari |
Caratteristiche elettriche (ai tum =°C 25 salvo specificazione contraria)
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MOQ:
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