Trasmettitore senza fili dei circuiti integrati rf di potere rf di CC1150RGVR CC115LRGPR progettato per potere basso
integrated circuit chip
,radio frequency integrated circuit
Trasmettitore dei circuiti integrati rf di CC1150RGVR CC115LRGPR rf progettato per la radio a bassa potenza
Applicazioni 1
-
Trasmettitori senza fili di frequenza ultraelevata di potere ultrabasso
-
Funzionando nel 315-, nel 433-, nel 868- e nelle bande di 915-MHz ISM/SRD
-
Amr – Lettura automatica del contatore
-
Prodotti elettronici di consumo
-
RKE – Entrata Keyless a distanza
Descrizione 2
Il CC1150 è un vero trasmettitore monochip di frequenza ultraelevata progettato per le applicazioni senza fili di potere basso stesso. Il circuito pricipalmente è inteso per bande di frequenza di DOTTRINA (industriale, scientifico e medico) e di SRD (dispositivo a corta portata) a 315-, a 433-, a 868- e a 915-MHz, ma può essere programmato facilmente per l'operazione ad altre frequenze nelle bande da 300 - 348 megahertz, da 400 - 464 megahertz e da 800 - 928 megahertz.
Il trasmettitore di rf è integrato con un modulatore altamente configurabile di banda di base. Il modulatore sostiene i vari formati di modulazione ed ha un kBaud configurabile fino a 500 del tasso di dati. Il dispositivo CC1150 fornisce l'esteso supporto dell'hardware per il trattamento del pacchetto, la bufferizzazione di dati ed i modo "burst".
I parametri di esercizio principali ed il byte 64 trasmettere il FIFO di CC1150 possono essere controllati via un'interfaccia di SPI. In un sistema tipico, il dispositivo CC1150 sarà utilizzato insieme ad un microcontroller e ad alcune componenti passive supplementari.
CC1150 fa parte della piattaforma della tecnologia di SmartRFTM basata su 0,18 tecnologie CMOS del μm da Texas Instruments.
Informazioni del dispositivo
|
NUMERO DEL PEZZO |
PACCHETTO |
DIMENSIONE CORPOREA |
|
CC1150 |
VQFNP (16) |
4,00 millimetri di × 4,00 millimetri |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
|
|
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
|
|
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
|
|
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
|
|
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
|
|
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
|
|
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|