Lev analogico 4 ESD Prot 0.75Ohm SPDT Ana Sw di IEC del commutatore CI di IC del commutatore di Ethernet di TS5A12301EYFPR
ethernet transceiver ic
,fast ethernet switch chip
Lev analogico 4 ESD Prot 0.75Ohm SPDT Ana Sw di IEC del commutatore CI di IC del commutatore di Ethernet di TS5A12301EYFPR
Caratteristiche 1
- Resistenza bassa dello Su stato (0,75 Ω)
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Iniezione a tassi agevolati
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Corrispondenza eccellente di resistenza dello Su stato
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L'isolamento dentro spegne il modo, VCC = 0
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Specificato Rottura-Prima-faccia la commutazione
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2.25-V all'alimentazione elettrica 5.5-V (VCC)
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Il Pulldown introdotto 6-MΩ permette che l'input di controllo (DENTRO) sia disgiunto
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un indipendente compatibile della soglia dell'input di controllo 1.8-V da VCC
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La prestazione del fermo-Su supera 100 mA per JESD 78, classe II
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Prestazione di ESD provata per JESD 22
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– modello del Umano-corpo 3000-V (A114-B, classe II)
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– modello del Fare pagare-dispositivo 1000-V (C101)
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Porto di COM di prestazione di ESD a terra
– modello del Umano-corpo 8000-V (A114-B, classe II)
2 applicazioni
• Telefoni cellulari
• PDAs
• Strumentazione portatile
• Lettori MP3
• Riproduttori portatili
Descrizione 3
Il dispositivo di TS5A12301E è un bidirezionale, 1 canale, commutatore analogico del doppio tiro del unico palo (SPDT) che è destinato per funzionare a partire da 2,25 V a 5,5 V. Il dispositivo offre una resistenza bassa dello Su stato con la resistenza eccellente dello Su stato di Manica--Manica che corrisponde e rottura-prima-faccia la caratteristica per impedire la distorsione del segnale durante il trasferimento di un segnale da un percorso ad un altro.
Il dispositivo ha prestazione totale eccellente di distorsione armonica (THD) e consuma il potere basso stesso. Queste caratteristiche rendono questo dispositivo adatto ad audio applicazioni portatili. Il perno dell'input di controllo (DENTRO) può essere collegato a GPIOs a bassa tensione, permettendo che sia controllato dai segnali 1.8-V.
Il TS5A12301E ha scarico dell'intraferro di ±15-kV ed il contatto di ±8-kV scarica la protezione di ESD per il porto di COM a terra, che lo rende soddisfacente rispetto alla norma del Livello 4 ESD di IEC (IEC 61000-4-2).
Informazioni del dispositivo
NUMERO DEL PEZZO |
PACCHETTO |
DIMENSIONE CORPOREA (NOM) |
TS5A12301E |
DSBGA (6) |
1,16 millimetri di × 0,76 millimetri |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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