Temporizzatori del ICS del temporizzatore dell'orologio di TLC555IDR & prodotti CMOS di sostegno
timer ic chip
,time delay ic chip
Temporizzatori del ICS del temporizzatore dell'orologio di TLC555IDR & prodotti CMOS di sostegno
Caratteristiche 1
- Basso consumo energetico stesso:
– 1mWTypicalatVDD =5V
Capace dell'operazione nel modo Astable
Il CMOS ha prodotto capace dell'oscillazione della ferrovia per recintare
Capacità corrente ad alto rendimento
– Lavandino: tipico 100 mA
– Fonte: tipico 10 mA
Uscita completamente - compatibile con il CMOS, TTL ed il MOS
La corrente bassa del rifornimento riduce le punte durante le transizioni dell'uscita
Operazione della semplice alimentazione da 2 V a 15 V
Dal punto di vista funzionale intercambiabile con il NE555; Ha stessa piedinatura
La protezione di ESD supera 2000 V per MIL-STD- 883C, il metodo 3015,2
Disponibile in Q-impiegati automobilistici
– Applicazioni automobilistiche di Alto-affidabilità
– Controllo di configurazione e supporto della stampa
– Qualificazione alle norme automobilistiche
2 applicazioni
Sincronizzazione di precisione
Generazione di impulso
Sincronizzazione sequenziale
Generazione ad azione ritardata
Modulazione di larghezza di impulso
Modulazione di posizione di impulso
Generatore lineare della rampa
Descrizione 3
Il TLC555 è un circuito cronometrante monolitico fabbricato facendo uso del processo di LinCMOSTM del TI. Il temporizzatore è completamente - compatibile con logica di CMOS, di TTL e del MOS ed aziona alle frequenze fino a 2 megahertz. A causa della sua alta impedenza dell'input, questo dispositivo utilizza i più piccoli condensatori della sincronizzazione che quelle usate dal NE555. Di conseguenza, più termini ed oscillazioni accurati sono possibili. Il consumo di energia è basso attraverso la gamma completa di tensione di alimentazione di corrente.
Come il NE555, il TLC555 ha un uguale livellato di innesco a circa un terzo della tensione di rifornimento e un uguale del livello di soglia a circa due terzi della tensione di rifornimento. Questi livelli possono essere alterati per mezzo del terminale di tensione di controllo (cont.). Quando l'input di innesco (trigliceride) scende sotto il livello di innesco, il flip-flop è fissato e l'uscita passa ad ALTO. Se il trigliceride è sopra il livello di innesco e l'input della soglia (THRES) è sopra il livello di soglia, il flip-flop è risistemato e l'uscita è bassa. L'input risistemato (RISISTEMAZIONE) può passare sopra a tutti gli altri input e può essere usato per iniziare un nuovo ciclo cronometrante. Se la RISISTEMAZIONE è bassa, il flip-flop è risistemato e l'uscita è bassa. Ogni volta che l'uscita è bassa, un percorso di bassa impedenza è fornito fra il terminale di scarico (DISCH) e la terra. Tutti gli input inutilizzati devono essere legati ad un livello logico appropriato per impedire l'avviamento falso.
Informazioni del dispositivo
NUMERO DEL PEZZO | PACCHETTO | DIMENSIONE CORPOREA (NOM) |
TLC555C | SOIC (8) | 4,9 millimetri di × 3,91 millimetri |
PDIP (8) | 9,81 millimetri di × 6,38 millimetri | |
CONTENTINO (8) | 6,20 millimetri di × 5,30 millimetri | |
TSSOP (14) | 5,00 millimetri di × 4,40 millimetri | |
TLC555I | SOIC (8) | 4,90 millimetri di × 3,91 millimetri |
PDIP (8) | 9,81 millimetri di × 6,38 millimetri | |
TLC555M | LCCC (20) | 8,89 millimetri di × 8,89 millimetri |
CDIP (8) | 9,60 millimetri di × 6,67 millimetri | |
TLC555Q | SOIC (8) | 4,90 millimetri di × 3,91 millimetri |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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