FM24CL04B-GTR 4 - memoria non volatile di Kbit, interfaccia veloce di memoria flash di serie I2C di FRAM
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
² C 1 megahertz 550 NS 8-SOIC di IC 4Kbit I di memoria di FRAM (RAM ferroelettrico)
Categoria:
Chip di IC di memoria flash
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Serie:
FM24CL04B
Tensione:
2,7 V - 3,65 V
Caratteristica:
Basso consumo energetico
Capacità di memoria:
4 KB (512 x 8)
Applicazione:
Monitor LCD, schermo piatto TV, stampanti, GPS, MP3
Pacchetto:
SOIC8
Frequenza di clock:
frequenza 1-MHz
Interfaccia:
Interfaccia seriale a due fili veloce (I2C)
Punto culminante:
serial flash memory
,serial flash chip
Introduzione
Flash di serie dell'interfaccia seriale a due fili veloce FRAM del chip di memoria flash di FM24CL04B-GTR 4Kbit
Descrizione
Il FM24CL04B è una memoria non volatile 4-Kbit che impiega un processo ferroelettrico avanzato. Una memoria ad accesso casuale o un F-RAM ferroelettrica è non volatile ed esegue legge e scrive simile a RAM. Fornisce la conservazione affidabile di dati per 151 anno mentre elimina le complessità, le spese generali ed i problemi a livello di sistema dell'affidabilità causati da EEPROM e da altre memorie non volatili. A differenza di EEPROM, il FM24CL04B esegue per scrivere le operazioni alla velocità del bus. Nessun scriva i ritardi sono incontrati. I dati sono redatti alla matrice di memoria subito dopo di ogni byte con successo sono trasferiti al dispositivo. Il ciclo seguente del bus può cominciare senza l'esigenza di votazione di dati. Inoltre, il prodotto offre sostanziale scrive la resistenza rispetto ad altre memorie non volatili. Inoltre, F-RAM esibisce il potere molto più basso durante scrive che EEPROM da allora scrivono le operazioni non richiedono una tensione di alimentazione elettrica internamente elevata per scrivono i circuiti. Il FM24CL04B è capace di appoggio dei 1014 cicli letturi /scritturi, o 100 milione volte di più scrive i cicli che EEPROM. Queste capacità fanno l'ideale per le applicazioni di memoria non volatile, richiedere di FM24CL04B frequente o rapido scrive. Gli esempi variano dalla registrazione di dati, di dove il numero scrive i cicli può essere critico, a richiedere i comandi industriali dove il lunghi scrivono il periodo di EEPROM possono causare la perdita di dati. La combinazione di caratteristiche permette i dati più frequenti che scrivono con meno spese generali per il sistema. Il FM24CL04B fornisce i benefici sostanziali agli utenti della pubblicazione periodica (I2C) EEPROM come sostituzione della visita improvvisata dell'hardware. Le specifiche di dispositivo sono garantite sopra una gamma di temperature industriale – di 40 C a +85 C.
Caratteristiche
■4-Kbit memoria ad accesso casuale ferroelettrica (F-RAM) logicamente
organizzato come 512 × 8
la Alto-resistenza 100 trilione del ❐ (1014) ha letto/scrive
❐ una conservazione di 151 dato di anno (vedi la conservazione e la resistenza di dati
alla pagina 10)
Il ❐ NoDelay™ scrive
Processo ferroelettrico di alto-affidabilità avanzata del ❐
■Interfaccia seriale a due fili veloce (I2C)
❐ fino a frequenza 1-MHz
Il ❐ dirige la sostituzione dell'hardware per la pubblicazione periodica (I2C) EEPROM
Il ❐ sostiene le sincronizzazioni dell'eredità per 100 chilocicli e 400 chilocicli
■Basso consumo energetico
del ❐ 100 una corrente attiva a 100 chilocicli
corrente standby del A (tipo) del ❐ 3
■Operazione di tensione: VDD = 2,7 V - 3,65 V
■Temperatura industriale: – 40 C - +85 C
■piccolo pacchetto del circuito integrato del profilo di 8 perni (SOIC)
■Restrizione delle sostanze pericolose (RoHS) compiacenti
■4-Kbit memoria ad accesso casuale ferroelettrica (F-RAM) logicamente
organizzato come 512 × 8
la Alto-resistenza 100 trilione del ❐ (1014) ha letto/scrive
❐ una conservazione di 151 dato di anno (vedi la conservazione e la resistenza di dati
alla pagina 10)
Il ❐ NoDelay™ scrive
Processo ferroelettrico di alto-affidabilità avanzata del ❐
■Interfaccia seriale a due fili veloce (I2C)
❐ fino a frequenza 1-MHz
Il ❐ dirige la sostituzione dell'hardware per la pubblicazione periodica (I2C) EEPROM
Il ❐ sostiene le sincronizzazioni dell'eredità per 100 chilocicli e 400 chilocicli
■Basso consumo energetico
del ❐ 100 una corrente attiva a 100 chilocicli
corrente standby del A (tipo) del ❐ 3
■Operazione di tensione: VDD = 2,7 V - 3,65 V
■Temperatura industriale: – 40 C - +85 C
■piccolo pacchetto del circuito integrato del profilo di 8 perni (SOIC)
■Restrizione delle sostanze pericolose (RoHS) compiacenti
Applicazioni
Industriale, comunicazioni & rete
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MOQ:
10pcs