Transistor FGH40N60 FGH40N60SMD dei componenti elettronici 40N60 IGBT di servizio di IC BOM
Transistor FGH40N60 FGH40N60SMD dei componenti elettronici 40N60 IGBT di servizio di IC BOM
Categoria di prodotto: Pacchetto dei transistor di IGBT/
Caso: Montaggio TO-247
Stile: Attraverso il foro
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore: 2,1 V
Corrente di collettore continua a 25 C: 80 A
Palladio - dissipazione di potere: 349 W
Temperatura di funzionamento minima: - 55 C
Temperatura di funzionamento massima: + 150 C
Serie: Imballaggio di FGH40N60SMD: Metropolitana
Corrente di perdita dell'Portone-emettitore: +/- Na 400
Tipo di prodotto: Transistor di IGBT
Quantità del pacchetto della fabbrica: 450
Sottocategoria: Peso specifico di IGBTs: 0,225401 once
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Metropolitana NPT TO-264 della saldatrice di FGL40N120ANDTU 40A 1200V singola IGBT
Fossa IGBT 25A 1200V di FGA25N120ANTD TO-3P NPT
Anti Hyperfast diodo parallelo 43A 1200V di HGTG11N120CND NPT GBT
Fermata di campo di FGH80N60FDTU FGH80N60FD FGH80N60FD2 TO-247 80A 600V IGBT nuovo IC originale
STK621 - la SORSATA ibrida del circuito di invertitore del modulo di potere di 033 N.E. Mosfet in pieno ha modellato
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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Metropolitana NPT TO-264 della saldatrice di FGL40N120ANDTU 40A 1200V singola IGBT |
IGBT NPT 1200 V 64 A 500 W Through Hole TO-264-3
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Fossa IGBT 25A 1200V di FGA25N120ANTD TO-3P NPT |
IGBT NPT and Trench 1200 V 50 A 312 W Through Hole TO-3P
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Anti Hyperfast diodo parallelo 43A 1200V di HGTG11N120CND NPT GBT |
IGBT NPT 1200 V 43 A 298 W Through Hole TO-247-3
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Fermata di campo di FGH80N60FDTU FGH80N60FD FGH80N60FD2 TO-247 80A 600V IGBT nuovo IC originale |
IGBT Field Stop 600 V 80 A 290 W Through Hole TO-247-3
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STK621 - la SORSATA ibrida del circuito di invertitore del modulo di potere di 033 N.E. Mosfet in pieno ha modellato |
Half Bridge (3) Driver AC Motors IGBT 23-SIP
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