Tensione di saturazione bassa materiale del collettore del silicio dei transistor di 2SD1899 NPN PNP
fabbricante:
STMicroelectronics
Descrizione:
Transistor bipolare (BJT) PNP 60 V 10 A 50 W attraverso il foro TO-220
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, IMPEGNO
Specifiche
Corrente di collettore (CC):
3A
Tensione della Collettore-base:
60 V
tensione dell'Collettore-emettitore:
60 V
Tensione emittenta-base:
7V
Frequenza:
120MHz
Dissipazione del potere:
2w
Polarità del transistor:
NPN
Gamma temporanea di funzionamento:
-55C a 150C
Punto culminante:
epitaxial planar pnp transistor
,silicon npn power transistors
Introduzione
2SD1899 NPN PNP Transistor di silicio NPN PowerTransistor
Descrizione
·Bassa tensione di saturazione del collettore
·testato al 100% in avalanche
·Variazioni minime fra i lotti per garantire prestazioni robuste del dispositivo e un funzionamento affidabile
Applicazioni
·Applicazioni ad alta frequenza di transizione
Specificità
Categoria: BJT - finalità generale
Produttore: RENESAS TECHNOLOGY
Corrente del collettore (DC): 3 ((A)
Tensione di base del collettore: 60 V
Voltaggio collettore-emettitore: 60 V
Voltaggio di base dell'emittente: 7 ((V)
Frequenza: 120 MHz
Dissipazione di potenza: 2 ((W)
Montaggio: Montaggio superficiale
Intervallo di temperatura di funzionamento: -55°C a 150°C
Tipo di imballaggio: TO-252
Numero di pin: 2 + Tab
Numero di elementi: 1
Classificazione della temperatura di esercizio: militare
Categoria: Potenza bipolare
Rad indurito: No
Polarità del transistor NPN
Potenza di uscita: non richiesta ((W)
Configurazione: singolo
Guadagno di corrente continua: 60@0.2A@2V/50@2A@2V
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