Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Transistor bipolare (BJT) PNP 60 V 3 un supporto di superficie D-Pak di 50MHz 1 W
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, IMPEGNO
Specifiche
Tensione della Collettore-base:
-60V
tensione dell'Collettore-emettitore:
-60V
Tensione emittenta-base:
-7V
Collettore Corrente-continuo:
-3A
Dissipazione di potere del collettore @TC=25℃:
10w
TEMPERATURA DI GIUNZIONE:
150℃
temperatura di conservazione:
-55~150℃
Pacco:
TO126
Punto culminante:
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
Introduzione
2SB1261 Transistori epitaxiali al silicio a diodo PNP a uso generale
Descrizione
·Voltata di saturazione bassa del collettore
·Disposizione di potenza elevata: PC=10W(Max)@TC=25°C
·Complemento del tipo 2SD1899-K
Applicazioni
Applicazioni
·progettato per l'uso in amplificatori e commutazioni audio, in particolare in circuiti integrati ibridi.
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MOQ:
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