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HALF - BRIDGE DRIVER ic componenti elettronici, componenti integrati IR2109S

fabbricante:
Infineon
Descrizione:
Driver IC Non-Inverting 8-SOIC del portone del Mezzo ponte
Categoria:
Driver ICs dell'esposizione
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
VOFFSET:
massimo 600V.
IO+/-:
120 mA/250 mA
VOUT:
10 - 20V
tonnellata/fuori (tipo.):
750 & 200 NS
Tempo morto:
540 NS
Alto lato che fa galleggiare tensione assoluta:
-0,3-- 625
Punto culminante:

electronics ic chip

,

integrated circuit ic

Introduzione

 

CONDUCENTE A MEZZO PONTE

IR2109(4) (S)

 

 

Caratteristiche

• Canale flottante progettato per il funzionamento bootstrap Completamente operativo fino a +600 V Tollerante a tensioni transitorie negative dV/dt immune

• Gamma di alimentazione gate drive da 10 a 20V

• Blocco sottotensione per entrambi i canali

• Logica di ingresso 3.3V, 5V e 15V compatibile

• Logica di prevenzione della conduzione incrociata

• Ritardo di propagazione corrispondente per entrambi i canali

• Uscita high side in fase con ingresso IN

• Offset +/- 5V della massa logica e di alimentazione.

• Tempo morto interno di 540ns e programmabile fino a 5us

con un resistore RDT esterno (IR21094)

• Gate driver di/dt inferiore per una migliore immunità al rumore

• L'ingresso Shut down disattiva entrambi i canali.

 

 

Descrizione

 

Gli IR2109(4)(S) sono driver MOSFET e IGBT di potenza ad alta tensione e alta velocità con canali di uscita di riferimento dipendenti lato alto e basso.Le tecnologie proprietarie HVIC e CMOS immuni ai latch consentono una costruzione monolitica rinforzata.L'ingresso logico è compatibile con l'uscita CMOS o LSTTL standard, fino a 3,3 V logici.I driver di uscita sono dotati di uno stadio buffer ad alta corrente di impulso progettato per un driver minimo IR21094 IR2109 Pacchetti IR2109(4) (S) Scheda tecnica n. PD60163-P VOFFSET 600 V max.IO+/- 120 mA / 250 mA VOUT 10 - 20 V ton/off (tip.) 750 e 200 ns Tempo morto 540 ns (programmabile fino a 5uS per IR21094) Riepilogo prodotto www.irf.com 1 VCC VB VS HO COM LO IN SD SD IN fino a 600V TO LOAD VCC IN fino a 600V TO LOAD VCC VB VS HO LO COM IN DT VSS SD VCC SD VSS RDT 8 Lead PDIP 14 Lead PDIP 8 Lead SOIC 14 Lead SOIC cross-conduction.Il canale flottante può essere utilizzato per pilotare un MOSFET di potenza a canale N o un IGBT nella configurazione high-side che funziona fino a 600 volt.

 

 

 

Definizioni di piombo

Simbolo Descrizione
IN Ingresso logico per uscite gate driver lato alto e basso (HO e LO), in fase con HO (riferito a COM per IR2109 e VSS per IR21094)
SD Ingresso logico per spegnimento (riferito a COM per IR2109 e VSS per IR21094)
DT Lead tempo morto programmabile, riferito a VSS.(solo IR21094)
VSS Massa logica (solo 21094)
V.B Alimentazione galleggiante high side
HO Uscita dell'azionamento del cancello laterale alto
CONTRO Ritorno dell'offerta fluttuante sul lato alto
VCC Low side e alimentazione logica fissa
LO Uscita di azionamento del cancello laterale bassa
COM Ritorno laterale basso

 

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Di riserva:
MOQ:
5pcs