Chip IC programmabili LMC662CM Doppio amplificatore operazionale CMOS

LMC662 CMOS Doppio amplificatore operazionale

Descrizione generale

L'amplificatore operazionale doppio CMOS LMC662 è ideale per il funzionamento da una singola alimentazione.Funziona da +5 V a +15 V e presenta un'oscillazione dell'uscita rail-to-rail oltre a un intervallo di ingresso in modalità comune che include la messa a terra.I limiti di prestazioni che hanno afflitto gli amplificatori CMOS in passato non sono un problema con questo progetto.Ingresso VOS, deriva e rumore a banda larga, nonché guadagno di tensione in carichi realistici (2 kΩ e 600Ω) sono tutti uguali o migliori rispetto agli equivalenti bipolari ampiamente accettati.

Questo chip è realizzato con l'avanzato processo CMOS Double-Poly Silicon-Gate di National.Vedere la scheda tecnica LMC660 per un amplificatore operazionale Quad CMOS con queste stesse caratteristiche.

Caratteristiche

• Oscillazione di uscita rail-to-rail
• Specificato per carichi da 2 kΩ e 600Ω
• Guadagno ad alta tensione: 126 dB
• Bassa tensione di offset in ingresso: 3 mV
• Bassa deriva della tensione di offset: 1,3 µV/˚C

• Corrente di polarizzazione in ingresso ultra bassa: 2 fA
• L'intervallo di ingresso in modalità comune include V⁻
• Campo di funzionamento da alimentazione +5V a +15V
• ISS = 400 µA/amplificatore;indipendente da V+

• Bassa distorsione: 0,01% a 10 kHz
• Velocità di risposta: 1,1 V/µs
• Disponibile in un intervallo di temperatura esteso (da −40˚C a +125˚C);ideale per applicazioni automobilistiche
• Disponibile secondo una specifica di disegno militare standard

Applicazioni

• Buffer o preamplificatore ad alta impedenza
• Convertitore di precisione corrente-tensione
• Integratore a lungo termine
• Circuito sample and hold
• Rivelatore di picco
• Strumentazione medica
• Controlli industriali
• Sensori automobilistici

Rating massimi assoluti (nota 3)

Se sono richiesti dispositivi specificati in campo militare/aerospaziale, contattare l'ufficio vendite/i distributori di semiconduttori nazionali per disponibilità e specifiche.

Tensione di ingresso differenziale ±Tensione di alimentazione

Tensione di alimentazione (v⁺- v⁻) 16V

Uscita in cortocircuito verso V⁺(Nota 12)

Uscita in cortocircuito verso V⁻(Nota 1)

Temperatura del piombo (saldatura, 10 sec.) 260˚C

Temp. di stoccaggioIntervallo da −65˚C a +150˚C

Tensione ai pin di ingresso/uscita (V⁺) +0,3V, (v⁻) −0,3 V

Corrente al pin di uscita ±18 mA

Corrente al pin di ingresso ±5 mA

Corrente al pin di alimentazione 35 mA

Dissipazione di potenza (Nota 2)

Temperatura di giunzione 150˚C

Tolleranza ESD (Nota 8) 1000V

Valutazioni operative (Nota 3)

Intervallo di temperatura

LMC662AMJ/883, LMC662AMD −55˚C ≤ TJ ≤ +125˚C

LMC662AI −40˚C ≤ TJ ≤ +85˚C

LMC662C 0˚C ≤ TJ ≤ +70˚C

LMC662E −40˚C ≤ TJ ≤ +125˚C

Intervallo di tensione di alimentazione da 4,75 V a 15,5 V

Dissipazione di potenza (Nota 10)

Resistenza termica (θJA) (Nota 11)

Ceramica a 8 pin DIP 100˚C/W

DIP stampato a 8 pin 101˚C/W

8 pin SO 165˚C/W

Ceramica brasata laterale a 8 pin DIP 100˚C/W

Nota 1: si applica sia al funzionamento con alimentazione singola che con alimentazione separata.Il funzionamento continuo in cortocircuito a temperatura ambiente elevata e/o più cortocircuiti dell'amplificatore operazionale possono provocare il superamento della temperatura di giunzione massima consentita di 150˚C.Correnti di uscita superiori a ±30 mA a lungo termine possono influire negativamente sull'affidabilità.

Nota 2: La massima dissipazione di potenza è una funzione di TJ(max), θJA e TA.La massima dissipazione di potenza consentita a qualsiasi temperatura ambiente è PD = (TJ(max)–TA)/θJA.

Nota 3: I valori massimi assoluti indicano i limiti oltre i quali possono verificarsi danni al dispositivo.Le valutazioni operative indicano le condizioni per le quali il dispositivo è destinato a funzionare, ma non garantiscono limiti prestazionali specifici.Per le specifiche garantite e le condizioni di prova, vedere le caratteristiche elettriche.Le specifiche garantite si applicano solo alle condizioni di prova elencate.

Nota 4: i valori tipici rappresentano la norma parametrica più probabile.I limiti sono garantiti da prove o correlazioni.

Nota 5: V+ = 15V, VCM = 7.5V e RL collegato a 7.5V.Per i test di approvvigionamento, 7,5 V ≤ VO ≤ 11,5 V.Per i test di affondamento, 2,5 V ≤ VO ≤ 7,5 V.

Nota 6: V+ = 15V.Collegato come inseguitore di tensione con ingresso a gradini da 10 V.Il numero specificato è il più lento tra gli slew rate positivi e negativi.

Nota 7: Ingresso riferito.V+ = 15V e RL = 10 kΩ collegati a V+/2.Ogni amplificatore eccitato a sua volta con 1 kHz per produrre VO = 13 VPP.

Nota 8: Modello del corpo umano, 1,5 kΩ in serie con 100 pF.

Nota 9: Una specifica di prova elettrica RETS militare è disponibile su richiesta.Al momento della stampa, le specifiche RETS LMC662AMJ/883 rispettavano pienamente i limiti in grassetto in questa colonna.L'LMC662AMJ/883 può anche essere acquistato secondo una specifica di disegno militare standard.

Nota 10: Per il funzionamento a temperature elevate il dispositivo deve essere declassato in base alla resistenza termica θJA con PD = (TJ–TA)/θJA.

Nota 11: tutti i numeri si applicano ai pacchetti saldati direttamente in una scheda PC.

Nota 12: non collegare l'uscita a V+ quando V+ è maggiore di 13 V o l'affidabilità potrebbe risentirne negativamente

Schema di collegamento

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