Diodi di Zener in vetro di silicio passivato da 1,0 Watt Diodi di Zener in vetro di giunzione passivata Diodo di Zener in silicio 1n4733A
bridge rectifier circuit
,signal schottky diode
1N4728A~1N4764A
Diodo di Zener di silicio
Caratteristiche
• pacchetto a basso profilo
• Dispositivi di riduzione delle tensioni
• bassa induttanza
• Saldatura ad alta temperatura: 260°C / 10 secondi ai terminali
• Il confezionamento in plastica ha la classificazione di infiammabilità del laboratorio Underwriters 94V-O
• Sono disponibili sia prodotti normali sia prodotti privi di Pb:
Normale: 80-95% di Sn, 5-20% di Pb
Libero di Pb: 98,5% Sn superiore
DATI MECHANICI
• Cassa: vetro stampato DO-41G / plastica stampata DO-41
• Epoxi: UL 94V-O ritardante di fiamma
• terminali: conduttori assiali, saldabili secondo MIL-STD-202,
• Metodo 208 garantito • Polarità: banda di colore indica fine positiva
• Posizione di montaggio:
• Peso: 0.012 once, 0.3 grammi
• Informazioni di ordinazione: Suffizio: -G per ordinare Confezione di vetro stampato Suffizio: -P per ordinare Confezione di plastica stampata
• Informazioni sull'imballaggio B - 1K per scatola T/R - 5K per scatola T/B
Classificazione massima e caratteristiche elettriche
Capacità nominale a temperatura ambiente di 25 °C, salvo diversa indicazione.
Parametro | simbolo | Valore | unità |
Potenza D issipazione aTam b = 25O C | PTO T | 1 | 1 W * |
Temperatura di giunzione | TJ | 150 | O C |
Intervallo di temperatura di conservazione | TSTG | -55 a + 150 | O C |
MT3cultura e cultura
AR0330CS1C12SPKA0-CP Flash Memory IC NUOVO E ORIGINALE
BAT54HT1G Chip per circuiti integrati elettronici NUOVO E ORIGINALE
BAT54SLT1G Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE
BAT54A Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE
TIL117M Componenti elettronici circuito integrato chip programma memoria
Diodo rettificatore di tipo ponte 1N4007 da 50 a 1000 volt 1,0 Ampere
NDT456P Direttore diodo P-Channel Enhancement Mode Transistor a effetto campo
TIP127 STOCK NUOVO E ORIGINALE
Immagine | parte # | Descrizione | |
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MT3cultura e cultura |
CMOS with Processor Image Sensor 1600H x 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22)
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AR0330CS1C12SPKA0-CP Flash Memory IC NUOVO E ORIGINALE |
CMOS Image Sensor 2304H x 1536V 2.2µm x 2.2µm 64-CSP (6.28x6.65)
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BAT54HT1G Chip per circuiti integrati elettronici NUOVO E ORIGINALE |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-323
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BAT54SLT1G Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE |
Diode Array 1 Pair Series Connection 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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BAT54A Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE |
Diode Array 1 Pair Common Anode 30 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TIL117M Componenti elettronici circuito integrato chip programma memoria |
Optoisolator Transistor with Base Output 7500Vpk 1 Channel 6-DIP
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Diodo rettificatore di tipo ponte 1N4007 da 50 a 1000 volt 1,0 Ampere |
Diode 1000 V 1A Through Hole DO-41
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NDT456P Direttore diodo P-Channel Enhancement Mode Transistor a effetto campo |
P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
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TIP127 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
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