Transistor per tutti gli usi del npn del transistor del Mosfet di potere FQP50N06
power mosfet ic
,silicon power transistors
Offerta di riserva (vendita calda)
| Numero del pezzo. | Quantità | Marca | D/C | Pacchetto |
| SN74HC00DR | 4211 | TI | 15+ | SOP14 |
| NDS9956A | 4215 | FAIRCHILD | 16+ | SOP8 |
| MC33202DR2G | 4227 | SU | 16+ | SOP8 |
| ICE2B265 | 4250 | 14+ | DIP-8 | |
| SS32-E3/57T | 4250 | VISHAY | 14+ | DO214 |
| SI3867 | 4258 | VISHAY | 14+ | SOT-163 |
| APM4953 | 4275 | APM | 16+ | SOP8 |
| LM1117MPX-5.0 | 4288 | NS | 16+ | SOT223 |
| 3224W-1-103E | 4300 | RUSCELLI | 13+ | SMD |
| TNY276GN | 4300 | POTERE | 15+ | SOP-7 |
| MIC5235-1.8YM5 | 4300 | MICREL | 16+ | SOT23-5 |
| HCF4052BEY | 4399 | St | 16+ | IMMERSIONE |
| M82C51A-2 | 4400 | OKI | 14+ | IMMERSIONE |
| MUR1620CTRG | 4400 | SU | 14+ | TO-220 |
| IRF7329 | 4412 | IR | 14+ | SOP-8 |
| HSMP-3816 | 4433 | AVAGO | 16+ | SOT153 |
| SMDJ54CA | 4440 | LITTELFUS | 16+ | SMD |
| GP1A51HR | 4444 | TAGLIENTE | 13+ | DIP-4 |
| P2804BDG | 4444 | NIKO | 15+ | TO252 |
| AP9962GH | 4450 | AP | 16+ | TO-252 |
| AD1955ARSZ | 4457 | ANNUNCIO | 16+ | SSOP-28 |
| AMS1083CT-3.3 | 4470 | AMS | 14+ | TO-220 |
| 1N4747A | 4500 | St | 14+ | DO-41 |
| FDB8447L | 4500 | FSC | 14+ | TO-263 |
| INA118P | 4500 | TI | 16+ | DIP-8 |
| IRFR9024NTRPBF | 4500 | IR | 16+ | TO-252 |
| NL17SZ06 | 4500 | SU | 13+ | SOT553 |
| Q6040K7 | 4500 | LITTELFUS | 15+ | TO-3P |
| STM8324 | 4500 | SAMHOP | 16+ | SOP8 |
| TDA2050 | 4500 | St | 16+ | ZIP |
FQP50N06L
MOSFET di N-Manica di LOGICA 60V
Descrizione generale
Questi transistor di effetto di campo di potere del modo di potenziamento di N-Manica sono prodotti facendo uso di Fairchild privata, la banda planare, la tecnologia di DMOS.
Questa tecnologia avanzata è stata adattata particolarmente per minimizzare la resistenza dello su stato, fornire la prestazione di commutazione superiore e resiste all'impulso dell'alta energia nel modo di commutazione e della valanga. Questi dispositivi sono ben adattati per le applicazioni di bassa tensione quali i convertitori di CC e automobilistici di CC e l'alta efficienza che commuta per la gestione di potere in prodotti portatili ed a pile.
Caratteristiche
• 52.4A, 60V, RDS (sopra) = 0.021Ω @VGS = 10 V
• Tassa bassa del portone (24,5 tipici nC)
• Crss basso (90 tipici PF)
• Commutazione veloce
• la valanga 100% ha provato
• Capacità migliore di dv/dt
• valutazione massima di temperatura di giunzione 175°C
Valutazioni massime assolute TC = 25°C salvo indicazione contraria
| Simbolo | Parametro | FQP50N06L | Unità |
| VDSS | Tensione di Scolo-fonte | 60 | V |
| Identificazione |
Vuoti corrente - continuo (TC = 25°C) - Continuo (TC = 100°C) |
52,4 | |
| 37,1 | |||
| IDM | Vuoti corrente - pulsato (nota 1) | 210 | |
| VGSS | Tensione di Portone-fonte | ± 20 | V |
| EAS | Singola energia pulsata della valanga (nota 2) | 990 | mJ |
| IAR | Corrente della valanga (nota 1) | 52,4 | |
| ORECCHIO | Energia ripetitiva della valanga (nota 1) | 12,1 | mJ |
| dv/dt | Recupero di punta del diodo dv/dt (nota 3) | 7,0 | V/ns |
| Palladio |
Dissipazione di potere (TC = 25°C) - Riduca le imposte su sopra 25°C |
121 | W |
| 0,81 | W/°C | ||
| TJ, TSTG | Gamma di temperature di stoccaggio e di funzionamento | -55 - +175 | °C |
| TL | Temperatura massima per gli scopi di saldatura, 1/8" del cavo dall'argomento per 5 secondi | 300 | °C |
Dimensioni del pacchetto
TO-220