BD135 Transistor di potenza NPN al silicio mosfet di potenza ad alta tensione mosfet a doppia alimentazione
Specifiche
Collector−Emitter Voltage:
45 Vdc
Collector−Base Voltage:
45 Vdc
Emitter−Base Voltage VEBO:
5.0 Vdc
Collector Current IC:
1.5 Adc
Base Current IB:
0.5 Adc
Punto culminante:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introduzione
Array
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Immagine | parte # | Descrizione | |
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Di riserva:
MOQ:
50pcs