Transistor del modulo Mosfet di potenza EMD3T2R Uso generico (doppio transistor digitale)
Specifiche
Supply voltage:
50 V
Junction temperature:
150 ˚C
Storage temperature:
−55∼+150 ˚C
Output voltage:
0.1 V
Input current:
0.88 mA
Output current:
0.5 µA
Punto culminante:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introduzione
Array
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Di riserva:
MOQ:
20pcs