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Componenti, apparecchi elettronici e circuiti integrati del transistor di IRFP9140N

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
MOSFET P-CH 100V 23A TO247AC
Categoria:
Gestione CI di potere
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Temperature Range:
–55 to +175°C
Payment Term:
T/T, Paypal, Western Union
Voltage:
± 20 V
Current:
16A
Package:
TO-247AC
Factory Package:
TUBE
Punto culminante:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introduzione

Componenti, apparecchi elettronici e circuiti integrati del transistor di IRFP9140N

Descrizione

La quinta generazione HEXFETs dal raddrizzatore internazionale utilizza le tecniche di trattamento avanzate per raggiungere estremamente - la su resistenza bassa per area del silicio.

Questo beneficio, combinato con la velocità di commutazione veloce e la progettazione resa resistente del dispositivo cui i MOSFETs di potere di HEXFET sono ben noti per, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente ed affidabile per uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Il pacchetto TO-247 è preferito per i livelli di più alto potere commercialindustrial delle applicazioni dove precludere l'uso dei dispositivi TO-220. Il TO-247 è simile ma superiore al pacchetto più in anticipo TO-218 a causa del suo foro di montaggio isolato.

Caratteristiche

la l ha avanzato la tecnologia della trasformazione

l valutazione dinamica di dv/dt

l temperatura di funzionamento di 175°C

l P-Manica l commutazione veloce

l completamente valanga valutata

C.I MM74HC164MX FSC P0552AD/P9FAD SOP-14
DIODO BYG23M-E3/TR VISHAY 1632 SMA
DIODO SML4742A-E3/61 VISHAY 1632/12 SMA
DIODO BYG23M-E3/TR VISHAY 1632 SMA
DIODO SML4742A-E3/61 VISHAY 1632/12 SMA
Ricerca 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF VISHAY 1612 SMD2010
Ricerca 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF VISHAY 1612 SMD2010
C.I MCP6S26-I/SL MICROCHIP 16255C4 SOP-14
ACOPLADOR. PC817A TAGLIENTE 2016.08.10/H33 DIP-4
TRASPORTO 2SS52M Honeywell 2SSM/523-LF TO-92
C.I SCC2691AC1D24 1149+ SOP-24
C.I TP3057WM TI XM33AF SOP-16
C.I CD14538BE TI 33ADS8K DIP-16
C.I CL2N8-G MICROCHIP CL2C SOT-89
C.I SN75179BP TI 57C50DM DIP-8
C.I L6219DS St 135 SOP-24
CAPPUCCIO 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE SAMSUNG AC7JO2H SMD1210
INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF TDK YA16H0945122/3R3 SMD6045
CAPPUCCIO ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR PENTOLA Y1628F843536/2.2/50V/SYK SMD4*5.4
C.I 24LC256-I/SN MICROCHIP 1636M6G SOP-8
CAPPUCCIO ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS NICHICON 160602/150/25V/H72 SMD8*10.5
RICERCA RC0805JR-0727RL YAGEO 1538 SMD0805
C.I SN75240PW TI 11/A75240 MSOP-8
RICERCA RC0805JR-0715KL YAGEO 1637 SMD0805
CAPPUCCIO CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T TAIYOYUDEN 1608 SMD0805
CAPPUCCIO CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE SAMSUNG AC7JO2H SMD0805
Ricerca 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% YAGEO 1638 SMD0805
CASO 0805RC0805JR-073K3L di RICERCA 3K3 5% YAGEO 1623 SMD0805
TRIAC BTA26-600BRG St 628 TO-3P
CAPPUCCIO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB TDK IB16F15763SD SMD0805

Corrente continua dello scolo, identificazione di VGS @ -10V -23 @ TC = 100°C

Corrente continua dello scolo, VGS @ -10V -16 A

IDM pulsati vuotano il palladio corrente del … -76 del  @TC = 25°C

Ridurre le imposte lineare della dissipazione di potere 140 W scompone 0,91 W/°C in fattori

± 20 V di tensione di Portone--fonte di VGS

Singolo … 430 mJ del ‚ di energia della valanga di impulso di EAS

 corrente -11 A della valanga di IAR

 ripetitivo 14 mJ dv/dt di energia della valanga dell'ORECCHIO

… di punta -5,0 V/ns del ƒ di recupero dv/dt del diodo

Giunzione di funzionamento e -55 di TJ + a 175 TSTG

Temperatura di saldatura della gamma di temperature di stoccaggio, per 10 il °C di secondi 300 (1.6mm dal caso)

Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ:
10pcs