Cappuccio ceramico a più strati del chip del tantalio del condensatore CI di CRCW2010330RJNEF SMD2010
ferrite bead model
,smd ceramic capacitor
Cappuccio ceramico a più strati del chip del tantalio del condensatore CI di CRCW2010330RJNEF SMD2010
Descrizione
2,2 μF 2012 1,25 +0.25/-0.20 μF 2012 del ± 20% C2012X7R1V225M125AE 4,7 del ± 10% C2012X7R1V225K125AE 1,25 +0.25/-0.20 ± 20% C2012X7R1E475M125AE C2012X7R1C475M125AE 3216 del ± 10% C2012X7R1E475K125AE C2012X7R1C475K125AE 1,60 +0.30/-0.20 μF 3216 del ± 20% C3216X7R1V475M160AE 10 del ± 10% C3216X7R1V475K160AE 1,60 +0.30/-0.20 μF 3225 del ± 20% C3216X7R1E106M160AE 2,2 del ± 10% C3216X7R1E106K160AE 2,30 +0.30/-0.20 ± 20% C3225X7R2A225M230AE del ± 10% C3225X7R2A225K230AE
PARTE DELLE AZIONE
DIODO US1M-E3/61T | 1800 | VISHAY |
Ricerca 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | 5000 | YAGEO |
TRANS. ZXMN10A09KTC | 250 | ZETEX |
C.I LD1117S33CTR | 5000 | STM |
TRIAC BTA16-800BW3G | 300 | SU |
C.I TL074CN | 100 | TI |
ULN2003AN | 50 | TI |
C.I CD40106BE | 25 | TI |
C.I L7805CD2T-TR | 1000 | St |
Ricerca 750R 1% RC0805FR-07750RL |
5000 | YAGEO |
TRASPORTO BCX71J | 3000 | |
UDN2987LWTR-6-T | 300 | ALLEGGR |
MC34063AP1 | 1500 | SU |
A4988SETTR-T | 400 | ALLEGRO |
SFH229FA | 19500 | OSRAM |
SFH4301 | 19500 | OSRAM |
LM2596SX-5 | 100 | NSC |
ATMEGA32A-AU | 130 | ATMEL |
ULN2803AFWG | 300 | TOSHIBA |
MJD42C | 625 | SU |
MJD41C | 120 | SU |
74HC595D | 400 | |
ES3A-E3/57T | 56950 | VISHAY |
IRFZ44N | 200 | IR |
IRF3205 | 100 | IR |
LM19CIZ/LFT4 | 100 | TI |
MX25L512MC-12G | 500 | MXIC |
SSS7N60B | 100 | FAIRCHILD |
MX25L1605AM2C-15G | 50 | MXIC |
IT8728F-EXA | 10 | ITE |
0453007.MR | 1000 | LITTELFUSE |
RT8859MGQW | 100 | RICHTEK |
2SK2648-01 | 50 | FUJI |
AT90S1200-12SC | 200 | ATMEL |
BLM21BD102SN1D | 4000 | |
BSS138LT1G | 3000 | SU |
IRF7424TRPBF | 4000 | IR |
C.I BD9701FP-E2 | 2000 | ROHM |
CAPPUCCIO 1u X7R CL10B105KA8NNNC | 4000 | SAMSUNG |
RXEF090 | 2000 | RAYCHEM |
BLM21AG601SN1D | 8000 |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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