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MT29F32G08CBACAWP-ITZ: C IC elettronico Chips NAND Flash Memory

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
ISTANTANEO - NAND Memory IC 32Gbit 48-TSOP parallelo I
Categoria:
Chip a circuito integrato
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Temperatura di funzionamento (industriale):
– 40 a 85°C
VCC tensione di rifornimento:
2,7 - 3,6 V
Tensione di rifornimento di VCCQ (1.8V):
1,7 - 1,95 V
Tensione di rifornimento di VCCQ (3.3V):
2,7 - 3,6 V
Tensione di messa a terra del VSS:
0 V
Tensione di messa a terra di VSSQ:
0 V
Punto culminante:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

Introduzione

32Gb, 64Gb, NAND Features asincrono/sincrono di 128Gb

NAND Flash Memory

MT29F32G08CBACA, MT29F64G08CEACA, MT29F64G08CFACA, MT29F128G08CXACA, MT29F64G08CECCB

Caratteristiche

• NAND Flash Interface aperto (ONFI) 2,21 compiacenti

• di tecnologia livella multiplo delle cellule (MLC)

• Organizzazione

– Dimensione di pagina x8: 4320 byte (4096 + 224 byte)

– Dimensione blocco: 256 pagine (byte 1024K + 56K)

– Dimensione piana: 2 aerei x 2048 blocchi per aereo

– Dimensione del dispositivo: 32Gb: 4096 blocchi; 64Gb: 8192 blocchi; 128Gb: 16.384 blocchi

• Prestazione sincrona dell'ingresso/uscita

– Fino a modo cronometrante sincrono 5

– Frequenza di clock: 10ns (RDT)

– Capacità di lavorazione lettura /scrittura per perno: 200 MT/s

• Prestazione asincrona dell'ingresso/uscita

– Fino a modo cronometrante asincrono 5

tRC/tWC: 20ns (MIN)

• Prestazione di matrice

– Pagina colta: 50µs (MAX)

– Pagina di programma: 1300µs (TIPO)

– Cancelli il blocco: 3ms (TIPO)

• Gamma di tensione di funzionamento

– VCC: 2.7-3.6V

– VCCQ: 1.7-1.95V, 2.7-3.6V

• Insieme di comando: ONFI NAND Flash Protocol

• Insieme avanzato di comando

– Nascondiglio di programma

– Cache colto sequenziale

– Cache colto casuale

– Modo programmabile di una volta (OTP)

– comandi dell'Multi-aereo

– Operazioni multi--LUN

– Legga l'identificazione unica

– Copyback

• Il primo blocco (indirizzo di blocco 00h) è valido una volta spedito dalla fabbrica.

Per le CEE richieste minime, vedi la gestione di errore (pagina 101).

• La RISISTEMAZIONE (FFh) ha richiesto come primo comando dopo poweron

• Il byte di stato dell'operazione fornisce il metodo del software per individuare

– Completamento di operazione

– Stato venire a mancare/del passaggio

– Protegga da scrittura lo stato

• I segnali dello stroboscopio di dati (DQS) forniscono un metodo dell'hardware per la sincronizzazione dei dati DQ nell'interfaccia sincrona

• Le operazioni di Copyback hanno sostenuto all'interno dell'aereo da cui i dati sono letti

• Qualità ed affidabilità

– Conservazione di dati: 10 anni

– Resistenza: 3000 cicli di PROGRAM/ERASE

• Temperatura di funzionamento:

– Annuncio pubblicitario: 0°C a +70°C

– Industriale (l'IT): – 40ºC a +85ºC

• Pacchetto

– 52 cuscinetto LGA

– 48 perno TSOP

– 100 palla BGA


Nota: 1. La specificazione di ONFI 2,2 è disponibile a www.onfi.org.

Descrizione generale

I dispositivi di NAND Flash del micron comprendono un'interfaccia asincrona di dati per le operazioni ad alto rendimento dell'ingresso/uscita. Questi dispositivi utilizzano un bus altamente multiplexato di 8 bit (DQx) per trasferire i comandi, l'indirizzo ed i dati. Ci sono cinque segnali di controllo usati per implementare l'interfaccia asincrona di dati: CE#, CLE, BIRRA INGLESE, WE# e RE#. I segnali supplementari controllano l'hardware scrivono la protezione (WP#) e controllano lo stato di dispositivo (R/B#).

Questo dispositivo di NAND Flash del micron comprende ulteriormente un'interfaccia sincrona di dati per le operazioni ad alto rendimento dell'ingresso/uscita. Quando l'interfaccia sincrona è attiva, WE# si trasforma in in CLK e RE# si trasforma in in W/R#. I trasferimenti di dati includono uno stroboscopio bidirezionale di dati (DQS).

Questa interfaccia di hardware crea un dispositivo basso di perno-conteggio con una piedinatura standard che rimane le stesse da una densità ad un altro, permettendo agli aggiornamenti di futuro alle più alte densità senza la riprogettazione del bordo.

Un obiettivo è l'unità della memoria raggiunta da un chip permette al segnale. Un obiettivo contiene gli uno o più NAND Flash muore. NAND Flash muore è l'unità minima che può eseguire indipendente i comandi e lo stato di rapporto. NAND Flash muore, nella specificazione di ONFI, si riferisce a come unità logica (LUN). Per ulteriori dettagli, vedi l'organizzazione di matrice e del dispositivo.

Valutazioni massime assolute dal dispositivo

Parametro Simbolo Min1 1 massimo Unità
Input di tensione VIN -0,6 4,6 V
Tensione di rifornimento VCC VCC -0,6 4,6 V
Tensione di rifornimento di VCCQ VCCQ -0,6 4,6 V
Temperatura di stoccaggio TSTG -65 150 °C

Nota: 1. tensione su qualsiasi perno riguardante il VSS.

Offerta di riserva (vendita calda)

Numero del pezzo. Quantità Marca D/C Pacchetto
PIC16F1783-I/SS 5323 MICROCHIP 13+ SSOP
MCP73862T-I/SL 5620 MICROCHIP 14+ SOIC
PIC16F84A-20/SO 4948 MICROCHIP 16+ CONTENTINO
LMZ14203HTZ 2000 TI 14+ TO-PMOD
LM2671MX-3.3 2000 NSC 13+ SOP-8
16212886 4080 05+ SOP-28
30458 305 BOSCH 10+ QFP-64
MC14001BCPG 10000 SU 14+ IMMERSIONE
A8290SETTR-T 2000 ALLEGRO 10+ QFN-28
N28F512-150 4560 INTEL 10+ PLCC
MMBT2907AK 20000 FAIRCHILD 10+ SOT-23
NH82801EB-SL7YC 2140 INTEL 15+ BGA
LP5951MFX-3.3 4776 NSC 15+ SOT-23-5
PCA82C250N 4840 14+ IMMERSIONE
MAX1470EUI-T 5300 MASSIMO 15+ TSSOP
NCP301LSN18T1G 10000 SU 14+ SOT23-5
P89V51RC2FN 1340 14+ IMMERSIONE
MX29LV320CTTC-70G 11400 MXIC 16+ TSSOP
LMZ12003TZ-ADJ 2108 NSC 13+ TO-PMOD-7
ZVNL120GTA 7800 ZETEX 15+ SOT223
MBI5016CNS 13897 FUJITSU 10+ IMMERSIONE
LMH6644MTX 3643 NSC 14+ TSSOP-14
MAX705CPA+ 10000 MASSIMO 16+ IMMERSIONE
MC145406P 7175 SU 14+ IMMERSIONE
MBC13900NT1 13775 FREESCAL 16+ BEONE
ATTINY13A-PU 3300 ATMEL 14+ DIP-8
LM317AEMP 10000 NSC 14+ SOT-223
MC9S08SH4CTG 4690 FREESCALE 10+ TSSOP
MC9S08GT8AMFBE 4588 FREESCALE 15+ QFP
LM2595S-3.3 6580 NSC 14+ TO-263

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