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Matrici elettroniche del transistor di CA3046 IC Chips General Purpose NPN

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Array di transistor bipolari (BJT).
Categoria:
Driver ICs dell'esposizione
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Tensione dell'Collettore--emettitore:
15V
Tensione della Collettore--base:
20V
Tensione del Collettore--substrato:
20V
Tensione della Emettitore--base:
5V
Corrente di collettore:
50mA
Temperatura di funzionamento:
-55 a 125℃
Punto culminante:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

Introduzione

CA3045, CA3046

Matrici per tutti gli usi del transistor di NPN

I CA3045 e i CA3046 ciascuno consistono di cinque transistor del silicio NPN di uso generale su un substrato monolitico comune. Due dei transistor internamente sono collegati per formare un paio differenziale collegato.

I transistor del CA3045 e del CA3046 sono ben adattati ad un'ampia varietà di applicazioni nelle centrali elettriche di potere basso nella CC attraverso la gamma di VHF. Possono essere utilizzati come transistor discreti nei circuiti convenzionali. Tuttavia, inoltre, forniscono i vantaggi inerenti molto significativi del circuito integrato della corrispondenza elettrica e termica vicina.

Caratteristiche

• Due transistor abbinati

- Partita di VBE. ±5mV

- Partita di IIO. 2µA (massimo)

• Figura a basso rumore. 3.2dB (tipo) a 1kHz

• 5 transistor monolitici per tutti gli usi

• Operazione da CC a 120MHz

• Ampia gamma corrente di funzionamento

• Gamma di temperature militare completa

Applicazioni

• Tre transistor isolati ed un paio differenziale collegato del transistor per potere basso

Applicazioni alle frequenze da CC attraverso la gamma di VHF

• Amplificatori differenziali progettati

• Amplificatori a temperatura compensata

• Vedi la nota di applicazione, AN5296 «l'applicazione della matrice del transistor del circuito integrato CA3018»

per le applicazioni suggerite

Piedinatura

Valutazioni massime assolute

Tensione dell'Collettore--emettitore (VCEO). 15V

Tensione della Collettore--base (VCBO). 20V

Tensione del Collettore--substrato (VCIO, nota 1). 20V

Tensione della Emettitore--base (VEBO). 5V

Corrente di collettore (IC). 50mA


NOTE: 1. Il collettore di ogni transistor del CA3045 e del CA3046 è isolato dal substrato da un diodo integrato. Il substrato (terminale 13) deve essere collegato al punto più negativo nel circuito esterno per mantenere l'isolamento fra i transistor e per provvedere ad azione normale del transistor.

Offerta di riserva (vendita calda)

Numero del pezzo. Quantità Marca D/C Pacchetto
XR2206CP 1000 EXAR 14+ IMMERSIONE
ZJK51R5-05 1000 TDK 16+ SMD
MC14049 1002 SU 16+ SOP16
U217B 1002 TFK 13+ DIP8
STP20NM60FP 1005 St 15+ TO-220F
DM0565R 1010 FSC 16+ TO-220
FDP75N08A 1010 FSC 16+ TO-220
VIPER17L 1010 St 14+ SOP-16
PIC16F819-I/P 1011 MICROCHIP 14+ IMMERSIONE
PC847 1014 TAGLIENTE 14+ DIP-16
TLP250 1050 TOSHIBA 16+ IMMERSIONE
XC6SLX150-2FGG484I 1050 XILINX 16+ BGA
CP2103-GMR 1055 SILICIO 13+ QFN
DS80C320MCG 1077 DALLAS 15+ IMMERSIONE
EIC4081 1088 VEXTA 16+ ZIP
ICL7107CM44 1100 INTERSIL 16+ QFP
MSC1210Y5PAGR 1100 BB 14+ TQFP64
BUK9507-30B 1102 PHI 14+ TO-220
SG3525AN 1105 SU 14+ DIP-16
PT2399 1111 Ptc 16+ DIP-16
UF3010 1120 PANJIT 16+ DO-201AD
1N5353B 1122 SU 13+ DO-15
DSPIC33FJ256MC710-I/PT 1174 MICROCHIP 15+ QFP
IRFPE40PBF 1178 IR 16+ TO-247
HM6264LP-70 1199 HMC 16+ IMMERSIONE
M5218L 1199 MITSUBISH 14+ SIP-8
RHRP1560 1199 FAIRCHILD 14+ TO-220
150EBU04 1200 IR 14+ TO220
2SA1943/2SC5200 1200 TOSHIBA 16+ TO-3P
3224G-1-103E 1200 RUSCELLI 16+ SMD

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Di riserva:
MOQ:
20pcs