Programma CI Chip Memory IC delle componenti di elettronica di IC del diodo Zener di PVT322S
chip in electronics
,integrated components
Serie PVT322
Relè fotovoltaico Palo doppio, 0-250V normalmente aperto, 170mA AC/DC del MOSFET di potere di potere microelettronico di IC HEXFET®
Descrizione generale
Il relè fotovoltaico di serie PVT322 è un dualpole, relè semi conduttore normalmente aperto che può sostituire i relè elettromeccanici in molte applicazioni.
Utilizza il MOSFET di potere del HEXFET del raddrizzatore internazionale come il commutatore di uscita, determinato da un generatore fotovoltaico del circuito integrato di costruzione novella.
Il commutatore di uscita è controllato tramite radiazione da un diodo luminescente di GaAlAs (LED) che otticamente è isolato dal generatore fotovoltaico.
I relè di serie PVT322 sono imballati 8 in un perno, pacchetto modellato della IMMERSIONE con i terminali del supporto della superficie o del attraverso-foro (gabbiano-ala).
È disponibile in tubi di spedizione di plastica standard o sul nastro-andreel. Riferisca prego all'opposto di informazioni dell'identificazione della parte.
Caratteristica
Uscita del MOSFET di potere di HEXFET
operazione senza rimbalzo
Isolamento dell'ingresso/uscita di 4.000 VRMS
Operazione lineare di AC/DC
Affidabilità semi conduttrice
L'UL ha riconosciuto e BABT certificato
Applicazioni???
Commutatore inserita/disinserita del gancio? Commutazione di Ring Line e di punta?
PA generale di commutazione
| VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE (1) |
|
Corrente minima di controllo (vedi figure1) 2,0 mA Controllo massimo corrente per resistenza @TA=+25°C dello Fuori stato 0,4 mA Gamma corrente di controllo (cautela: l'input corrente LED di limite, vede figura 5) 2,0 - 25 mA Tensione inversa massima 7,0 V Resistenza dielettrica minima, ingresso/uscita 4000 VRMS Resistenza dielettrica minima, Palo--Palo 1000 VCC Resistenza di isolamento minima, ingresso/uscita, @TA=+25°C, 50%RH, Ω 100VDC 1012 Capacità massima, Pin massimo dell'ingresso/uscita 1,0 PF Temperatura di saldatura (massimo 10 secondi) +260 Gamma di temperatura ambiente: Azionando gli stoccaggi -40 - +100 di -40 - +85 °C |
PARTE DELLE AZIONE
| TRANS. FDS9435A | 1500 | FSC | 15+ | SOP-8 |
| DIODO MMBD4148,215 | 300000 | 15+ | SOT23-3 | |
| C.I L7805CD2T-TR | 2500 | St | 14+ | D2PAK |
| FDS6990A | 1500 | FSC | 15+ | SOP-8 |
| NDS9952A | 1500 | FSC | 15+ | SOP-8 |
| SN65HVD485EDR | 1500 | TI | 16+ | SOP-8 |
| SMBJ8.5CA | 7500 | VISHAY | 16+ | SMB |
| PIC24FJ16GA004-I/PT | 1500 | MICROCHIP | 13+ | TQFP-44 |
| C.I TLC072CDGNR | 5000 | TI | 05+ | MSOP-8 |
| C.I SN74LS374N | 2000 | TI | 15+ | DIP-20 |
| TRANS. BC817-16LT1G | 300000 | SU | 12+ | SOT-23 |
| C.I TL074CN | 1000 | TI | 12+ | DIP-14 |
| OPTOACOPLADOR MOC3063SM | 20000 | FSC | 14+ | SOP-6 |
| TRIAC BT151-500R | 300000 | 16+ | TO-220 | |
| C.I MM74HC164MX | 25000 | FSC | 05+ | SOP-14 |
| C.I WS79L05 | 100000 | La WS | 16+ | TO-92 |
| RICERCA RL1206FR-070R75L | 100000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
| RICERCA RC1206FR-071R5L | 500000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
| RICERCA RC1206FR-071R2L | 500000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
| RICERCA RL1206FR-070R68L | 1000000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
| RICERCA RC0402FR-0722KL | 3000000 | YAGEO | 16+ | SMD0402 |
| RICERCA RC0402FR-0756RL | 2000000 | YAGEO | 16+ | SMD0402 |
| RICERCA RC0402FR-0724RL | 2000000 | YAGEO | 16+ | SMD0402 |
| RICERCA RC1206JR-072ML | 500000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
| CAPPUCCIO 1206 22PF 1KV NP0 CL31C220JIFNFNE | 600000 | SAMSUNG | 16+ | SMD1206 |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
|
|
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
|
|
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
|
|
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
|
|
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
|
|
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
|
|
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|