Nexperia
Immagine | parte # | Descrizione | fabbricante | Di riserva | RFQ | |
---|---|---|---|---|---|---|
PIMN31,115 NPN / PNP Resistor Transistor dotato di 500 MA 50V Dual Gate Transistor |
Transistor bipolare pre-biased (BJT) 2 NPN - Pre-biased (dual) 50V 500mA 420mW Superficie montata 6-
|
Nexperia
|
|
|
||
BAT120C,115 STORME NUOVO E ORIGINALE |
Supporto comune a serie di diodi TO-261-4, TO-261AA della superficie del catodo 25 V 1A (CC) di 1 pa
|
Nexperia
|
|
|
||
BCP51-16,115 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Bipolare (BJT) Transistor PNP 45 V 1 A 145MHz 1 W Surface Mount SOT-223
|
Nexperia
|
|
|
||
2N7002BKS,115 MAGAZZINO NUOVO ED ORIGINALE |
Il Mosfet allinea il supporto 6-TSSOP della superficie 295mW di 60V 300mA (tum)
|
Nexperia
|
|
|
||
74LVC2G66GD,125 NUOVO E ORIGINALE |
2 1:1 10Ohm 8-XSON (2x3) del commutatore di IC del circuito
|
Nexperia
|
|
|
||
74LVC74APW,118 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
L'elemento 1 D tipo di Flip Flop 2 ha morso il bordo positivo 14-TSSOP (0,173", larghezza di 4.40mm)
|
Nexperia
|
|
|
||
74LVT14PW,112 NUEVO E ORIGINALE |
Innesco 14-TSSOP di Schmitt di Manica di IC 6 dell'invertitore
|
Nexperia
|
|
|
||
74LVT14PW, 118 NUEVO E ORIGINALE |
Innesco 14-TSSOP di Schmitt di Manica di IC 6 dell'invertitore
|
Nexperia
|
|
|
||
74AVC8T245PW:112 IC di memoria flash NUOVO E ORIGINALE |
Ricetrasmettitore di traduzione 1 elemento 8 bit per elemento Uscita a 3 stati 24-TSSOP
|
Nexperia
|
|
|
||
PHD97NQ03LT,118 Diodo a chip NUOVO E ORIGINALE |
Supporto DPAK della superficie 107W (TC) di N-Manica 25 V 75A (TC)
|
Nexperia
|
|
|
||
BCV47-QVL diodo a chip NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) NPN - Darlington 60 V 500 mA un supporto di superficie TO-236AB da 250 Mw
|
Nexperia
|
|
|
||
PMN45EN,135 diodo a chip nuovo e originale |
Supporto 6-TSOP della superficie 1.75W (TC) di N-Manica 30 V 5.2A (TC)
|
Nexperia
|
|
|
||
BC857W-QF diodo a chip nuovo e originale |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-323 da 200 Mw
|
Nexperia
|
|
|
||
PESD5V0F1BL,315 Diodo ad alta tensione Nuovo e originale |
15V supporto di superficie DFN1006-2 del diodo del morsetto 2.5A (8/20µs) Ipp TV
|
Nexperia
|
|
|
||
PUMT1 Diodo a chip NUOVO E ORIGINALE |
Il transistor bipolare (BJT) allinea 2 il supporto di superficie 6-TSSOP di PNP 40V (doppio) 100mA 1
|
Nexperia
|
|
|
||
BAV70SRAZ diodo a chip nuovo e originale |
Il supporto comune 6-XFDFN della superficie del catodo 100 la V 355mA (CC) 2 di paia a serie di diod
|
Nexperia
|
|
|
||
BZA968A,115 Diodo ad alta corrente Nuovo e originale |
Supporto di superficie SOT-665 del diodo di Ipp TV del morsetto
|
Nexperia
|
|
|
||
BAT120C,115 Diodo ad alta tensione nuovo e originale |
Supporto comune a serie di diodi TO-261-4, TO-261AA della superficie del catodo 25 V 1A (CC) di 1 pa
|
Nexperia
|
|
|
||
PDZ3.3B,115 Diodo ad alta tensione Nuovo e originale |
Supporto di superficie SOD-323 del diodo Zener 3,3 V 400 Mw ±2%
|
Nexperia
|
|
|
||
PMLL4448,135 Diodo ad alta potenza Nuovo e originale |
Supporto di superficie LLDS del diodo 75 V 200mA; MiniMelf
|
Nexperia
|
|
|
||
BAW56S,135 Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Serie di diodi 2 coppie Anodo comune 90 V 250 mA (CC) A montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-3
|
Nexperia
|
|
|
||
BC807,215 Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 500 mA 80MHz un supporto di superficie TO-236AB da 250 Mw
|
Nexperia
|
|
|
||
BAT721C,215 STORME NUOVO E ORIGINALE |
Supporto comune a serie di diodi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 della superficie del catodo 40 V 200mA (C
|
Nexperia
|
|
|
||
BAT721S,215 Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Supporto a serie di diodi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 della superficie del collegamento in serie 40 V
|
Nexperia
|
|
|
||
BAT74,215 Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
2 30 supporto indipendente a serie di diodi TO-253-4, TO-253AA della superficie di V 200mA (CC)
|
Nexperia
|
|
|
||
BAT74,235 Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
2 30 supporto indipendente a serie di diodi TO-253-4, TO-253AA della superficie di V 200mA (CC)
|
Nexperia
|
|
|
||
BAT74S/S500X Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Un supporto di superficie a serie di diodi TO-253-4, TO-253AA di 30 V
|
Nexperia
|
|
|
||
BAT74S,135 Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
2 30 supporto indipendente a serie di diodi 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 della superficie di V 200mA (CC)
|
Nexperia
|
|
|
||
BAT74S,115 Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
2 30 supporto indipendente a serie di diodi 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 della superficie di V 200mA (CC)
|
Nexperia
|
|
|
||
BAT754S,215 Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Supporto a serie di diodi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 della superficie del collegamento in serie 30 V
|
Nexperia
|
|
|
||
BAT754L,115 Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
3 30 supporto indipendente a serie di diodi 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 della superficie di V 200mA (CC)
|
Nexperia
|
|
|
||
BAT760Z Transistor a effetto campo NOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie SOD-323 del diodo 20 V 1A
|
Nexperia
|
|
|
||
BAT 760,115 Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie SOD-323 del diodo 20 V 1A
|
Nexperia
|
|
|
||
BAV170 Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Supporto comune a serie di diodi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 della superficie del catodo 85 V 125mA (C
|
Nexperia
|
|
|
||
BCX53,146 Diodo a chip NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 80 V 1 un supporto di superficie SOT-89 di 145MHz 1,3 W
|
Nexperia
|
|
|
||
1PS76SB40,135 Diodo ad alta corrente Nuovo e originale |
Supporto di superficie SOD-323 del diodo 40 V 120mA
|
Nexperia
|
|
|
||
PESD12VS1UL,315 diodo a chip nuovo e originale |
35V supporto di superficie DFN1006-2 del diodo del morsetto 5A (8/20µs) Ipp TV
|
Nexperia
|
|
|
||
PHK31NQ03LT Diodo a chip NUOVO E ORIGINALE |
Matrice del Mosfet
|
Nexperia
|
|
|
||
PDZ10BGWX Diodo ad alta potenza Nuovo e originale |
Supporto di superficie SOD-123 del diodo Zener 10 V 365 Mw ±2.2%
|
Nexperia
|
|
|
||
BAV23,235 Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
2 200 supporto indipendente a serie di diodi TO-253-4, TO-253AA della superficie di V 225mA (CC)
|
Nexperia
|
|
|
||
BAV23,215 Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
2 200 supporto indipendente a serie di diodi TO-253-4, TO-253AA della superficie di V 225mA (CC)
|
Nexperia
|
|
|
||
Transistor a effetto campo BAV23A-QR NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie comune a serie di diodi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 dell'anodo 200 V 225mA di 1
|
Nexperia
|
|
|
||
BAV70S,115 Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Serie di diodi 2 coppie Catodo comune 100 V 250 mA (CC) A montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT
|
Nexperia
|
|
|
||
BCX51-10F STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 1 A 145 MHz 500 mW A montaggio superficiale SOT-89
|
Nexperia
|
|
|
||
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI BCX51-16TF |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 1 A un supporto di superficie SOT-89 da 500 Mw
|
Nexperia
|
|
|
||
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI BCX51-16,135 |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 1 un supporto di superficie SOT-89 di 145MHz 1,3 W
|
Nexperia
|
|
|
||
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI BCX52-10TF |
Transistor bipolare (BJT) PNP 60 V 1 A un supporto di superficie SOT-89 da 500 Mw
|
Nexperia
|
|
|
||
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI BCX51-16,115 |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 1 un supporto di superficie SOT-89 di 145MHz 1,3 W
|
Nexperia
|
|
|
||
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI BCX52-10,115 |
Transistor bipolare (BJT) PNP 60 V 1 un supporto di superficie SOT-89 di 145MHz 1,3 W
|
Nexperia
|
|
|
||
BAV23A,215 Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Serie di diodi 1 coppia Anodo comune 200 V 225 mA (CC) A montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT
|
Nexperia
|
|
|