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Modulo di alimentazione IGBT
| Immagine | parte # | Descrizione | fabbricante | Di riserva | RFQ | |
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Transistor ad effetto di campo IRG4PC40WPBF STOCK NUOVO E ORIGINALE |
IGBT 600 V 40 A 160 W attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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Transistor ad effetto di campo IRG4BC40UPBF STOCK NUOVO E ORIGINALE |
IGBT 600 V 40 A 160 W Foro passante TO-220AB
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Infineon
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IRG4PH40UDPBF Transistor ad effetto di campo STOCK NUOVO E ORIGINALE |
IGBT 1200 V 41 A 160 W attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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IRG4PH50UDPBF Transistor ad effetto di campo STOCK NUOVO E ORIGINALE |
IGBT 1200 V 45 A 200 W attraverso il foro TO-247AC
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Produttore
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IRG4PC50UPBF Transistor ad effetto di campo STOCK NUOVO E ORIGINALE |
IGBT 600 V 55 A 200 W attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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Transistor ad effetto di campo IRG4PC50WPBF STOCK NUOVO E ORIGINALE |
IGBT 600 V 55 A 200 W attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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IRG4PF50WDPBF Transistor ad effetto di campo STOCK NUOVO E ORIGINALE |
IGBT 900 V 51 A 200 W attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRGP35B60PDPBF NUOVE E |
IGBT NPT 600 V 60 A 308 W attraverso il foro TO-247AC
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Produttore
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRG4IBC20UDPBF NUOVE E |
IGBT 600 V A 11,4 34 W attraverso il foro TO-220AB Interamente Pak
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRG4PC50KDPBF NUOVE E |
IGBT 600 V 52 A 200 W attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRG4PC50UDPBF NUOVE E |
IGBT 600 V 55 A 200 W attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRG4PF50WPBF NUOVE E |
IGBT 900 V 51 A 200 W attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRG4PH50UDPBF NUOVE E |
IGBT 1200 V 45 A 200 W attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRG4PC50UPBF NUOVE E |
IGBT 600 V 55 A 200 W attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRGIB10B60KD1P NUOVE E |
IGBT NPT 600 V 16 A 44 W attraverso il foro TO-220AB Interamente Pak
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRGP50B60PDPBF NUOVE E |
IGBT NPT 600 V 75 A 370 W attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRGP50B60PD1PBF NUOVE E |
IGBT NPT 600 V 75 A 390 W attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRGP20B60PDPBF NUOVE E |
IGBT NPT 600 V 40 A 220 W attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRGP35B60PDPBF NUOVE E |
IGBT NPT 600 V 60 A 308 W attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRGB6B60KDPBF NUOVE E |
IGBT NPT 600 V 13 A 90 W attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRGS10B60KDTRRP NUOVE E |
Supporto di superficie D2PAK di IGBT NPT 600 V 22 A 156 W
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Infineon
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRGP4660D-EPBF |
IGBT 600 V 100 A 330 W attraverso il foro TO-247AD
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Infineon
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRGP4062DPBF |
Fossa 600 V 48 A 250 W di IGBT attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRGP4068DPBF |
Fossa 600 V 96 A 330 W di IGBT attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRGI4061DPBF |
Fossa 600 V 20 A 43 W di IGBT attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRAM136-1061A2 |
Fase 600 la V 12 di Module IGBT 3 del driver di potere 29-PowerSSIP un modulo, 21 cavo, ha formato i
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Infineon
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRGB4061DPBF |
Fossa 600 V 36 A 206 W di IGBT attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRGB4062DPBF |
Fossa 600 V 48 A 250 W di IGBT attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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TPS51916EVM-746 DDR2 completo dollaro sincrono GRM32ER60J107ME20L della soluzione di potere di memoria DDR3L e DDR4 di DDR3 |
TPS51916 D-CAP™, scopo speciale DC/DC, rifornimento 1, comitato di valutazione di D-CAP2™ di memoria
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Texas Instruments
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MPX5010DP IC ha integrato il sensore di pressione del silicio su Chip Signal Conditioned |
Maschio differenziale del sensore 1.45PSI (10kPa) di pressione - 0,19" metropolitana (di 4.93mm), si
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NXP
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PTH04070WAZ 3-A, 3.3/5-V HA INTRODOTTO il truciolato elettronico REGOLABILE del REGOLATORE di COMMUTAZIONE |
Il convertitore non isolato 1 di CC di CC di PoL Module ha prodotto 0,9 ~ 3.6V 3A 3V - input 5.5V
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Texas Instruments
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Il fornitore di IC Chips Electronics China Golden IC del sensore di pressione di MPX5100AP ad alta velocità PUÒ ricetrasmettitore |
Sensore 2.18PSI ~ 16.68PSI (15kPa ~ 115kPa) maschio assoluto - 0,19" di pressione metropolitana 0,2
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NXP
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Programma CI Chip Memory IC del diodo di raddrizzatore di IC del sensore di pressione di S3B-PH-SM4-TB (SE) (SN) |
Supporto di superficie dell'intestazione del connettore, posizione 0,079" dell'angolo retto 3 (2.00m
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Produttore
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Elettronica CI Chip Integarted Circuts del modulo di potere di 0878321420 Mosfet |
Posizione di superficie 0,079" del supporto 14 dell'intestazione del connettore (2.00mm)
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Produttore
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Transistor di potenza complementari del silicio del modulo di potere del Mosfet di FGL40N120ANDTU |
IGBT
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Produttore
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Modulo di potere astuto del diodo del tiristore del modulo di potere del Mosfet di FSBB30CH60F |
Fase 600 V 30 di Module IGBT 3 del driver di potere 27-PowerDIP un modulo (1,205", 30.60mm)
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Semi ON / Semi Catalizzatore
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MOSFET di N-Manica del modulo del diodo del tiristore del modulo di potere del Mosfet IXFN38N100Q2 |
Supporto SOT-227B del telaio 890W (TC) di N-Manica 1000 V 38A (TC)
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Produttore
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AZIONE ORIGINALI del modulo di potere di BSM50GP120BOSA1 IGBT NUOVE E |
Modulo IGBT Inverter trifase 1200 V 80 A Modulo per montaggio su telaio
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del modulo di potere di VS-40HFL60S05 IGBT NUOVE E |
Diodo 600 V 40A Chassis, montaggio a vite DO-203AB (DO-5)
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VISHAY
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AZIONE ORIGINALI del modulo di potere di VS-T70HFL60S05 IGBT NUOVE E |
Diodo 600 V 70 A Montaggio su telaio D-55
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VISHAY
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AZIONE ORIGINALI del modulo di potere di FF200R17KE3HOSA1 IGBT NUOVE E |
Modulo IGBT Trench Field Stop Semiponte 1700 V 310 A 1250 W Modulo montaggio su telaio
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del modulo di potere di KWD10-1212 IGBT NUOVE E |
Convertitori c.a./c.c. chiusi 2 uscite 12 V 450 mA, 450 mA 85 ~ 265 V c.a. Ingresso
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Produttore
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AZIONE ORIGINALI del modulo di potere di VS-160MT160KPBF IGBT NUOVE E |
Raddrizzatore a ponte trifase standard 1,6 kV Montaggio su telaio MT-K
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VISHAY
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AZIONE ORIGINALI del modulo di potere di DDB6U144N16RBPSA1 IGBT NUOVE E |
Raddrizzatore a ponte Trifase Standard 1,6 kV Montaggio su telaio AG-ECONO2A
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del modulo di potere di PS21767 IGBT NUOVE E |
Modulo driver di alimentazione IGBT Trifase 600 V 30 A Modulo 38-PowerDIP (1,413", 35,90mm)
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Produttore
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AZIONE ORIGINALI del modulo di potere di PS21765 IGBT NUOVE E |
Modulo driver di alimentazione IGBT Trifase 600 V 20 A Modulo 38-PowerDIP (1,413", 35,90mm)
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Produttore
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AZIONE ORIGINALI del modulo di potere di CS241250 IGBT NUOVE E |
Diodo 1200 V 50 A Montaggio su telaio Modulo POW-R-BLOK™
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Produttore
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AZIONE ORIGINALI del modulo di potere di PH150S280-5 IGBT NUOVE E |
Modulo isolato Convertitore CC CC 1 Uscita 5 V 30 A 200 V - 400 V Ingresso
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Produttore
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AZIONE ORIGINALI del modulo di potere di PH100S280-5 IGBT NUOVE E |
Convertitore CC CC a modulo isolato 1 uscita 5 V 20 A 200 V - 400 V ingresso
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Produttore
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AZIONE ORIGINALI del modulo di potere di PF500A-360 IGBT NUOVE E |
Convertitori c.a./c.c. chiusi 1 uscita 360 V 1,4 A 85 ~ 265 V c.a. Ingresso
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Produttore
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