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Componenti elettronici
| Immagine | parte # | Descrizione | fabbricante | Di riserva | RFQ | |
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BT1comunicazione elettronica |
SCR 650 V 12 A Montaggio di superficie di recupero standard DPAK
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fatto in porcellana
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BAT54C Chip per circuiti integrati elettronici NUOVO E ORIGINALE |
Supporto comune a serie di diodi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 della superficie del catodo 30 V 200mA (C
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BAT54HT1G Chip per circuiti integrati elettronici NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie SOD-323 del diodo 30 V 200mA
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Semi ON / Semi Catalizzatore
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BAT54SLT1G Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE |
Supporto a serie di diodi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 della superficie del collegamento in serie 30 V
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Semi ON / Semi Catalizzatore
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BA595E6327 Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE |
PIN diodo RF - singolo 50V 50 mA PG-SOD323-2-1
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Infineon
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BAS316 Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie SOD-323 del diodo 100 V 250mA
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BAS40TW-7-F Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE |
Diode array 3 indipendente 40 V 200mA (DC) Superficie montata 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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DIODI
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BAT46W-7-F Chip per circuiti integrati elettronici NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie SOD-123 del diodo 100 V 150mA
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DIODI
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BAT54A Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie comune a serie di diodi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 dell'anodo 30 V 200mA di 1
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Semi ON / Semi Catalizzatore
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IC di memoria flash EMH4T2R NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare Pre-polarizzato (BJT) 2 NPN - supporto di superficie (doppio) Pre-polarizzato EM
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Semiconduttore Rohm
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2N7002W-7-F Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE |
N-canale 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Montatura di superficie SOT-323
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DIODI
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2SC2713-BL,LF Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE |
Bipolare (BJT) Transistor NPN 120 V 100 mA 100MHz 150 mW Monte di superficie TO-236
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TOSHIBA
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI VS-HFA25PB60PBF |
Il diodo 600 V 25A attraverso il foro TO-247AC ha modificato
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VISHAY
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRL1404PBF |
N-Manica 40 V 160A (TC) 200W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRGI4061DPBF |
Fossa 600 V 20 A 43 W di IGBT attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI AUIRFS4010-7TRL |
Supporto D2PAK (7-Lead) della superficie 380W (TC) di N-Manica 100 V 190A (TC)
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Infineon
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI TCMT1107 |
Il transistor del Optoisolator ha prodotto 3750Vrms 1 il Manica 4-SOP
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VISHAY
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI 1N5245B-TAP |
Diodo Zener 15 V 500 Mw ±5% attraverso il foro DO-35 (DO-204AH)
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VISHAY
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI SUD17N25-165-E3 |
N-Manica 250 V 17A (TC) 3W (tum), supporto TO-252AA della superficie 136W (TC)
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VISHAY
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BC848B Induttore variabile nuovo e originale |
Transistor bipolare (BJT) NPN 30 V 100 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-23 da 200 Mw
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Taiwan Semiconductor Corporation
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UPA1793G-E1 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Mosfet Array 20V 3A 2W Surface Mount 8-PSOP
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RENESAS
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B340Q-13-F Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE |
Diodo 40 V 3A A montaggio superficiale SMC
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DIODI
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B160-13-F Chip per circuiti integrati elettronici NUOVO E ORIGINALE |
Diodo di 60 V 1A di montaggio di superficie SMA
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DIODI
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IRF6638TRPBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
N-canale 30 V 25A (Ta), 140A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) DIRECTFETTM MX
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Infineon
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IRF6620TRPBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
N-canale 20 V 27A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) DIRECTFETTM MX
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Infineon
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IRF630NPBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
N-Manica 200 V 9.3A (TC) 82W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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IRF620PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
N-canale 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) attraverso foro TO-220AB
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VISHAY
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IRF630NSTRLPBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
N-Canale 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) D2PAK
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Infineon
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IRF6665TRPBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
N-canale 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) DIRECTFETTM SH
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Infineon
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IRF6216TRPBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
P-canale 150 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Superficie montata 8-SO
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Infineon
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IRF6218STRLPBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
P-Canale 150 V 27A (Tc) 250W (Tc) Montatura di superficie D2PAK
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Infineon
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VS-63CPQ100PBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Diodo 1 coppia catodo comune 100 V 30A attraverso foro TO-247-3
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VISHAY
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IRF640NPBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
N-Manica 200 V 18A (TC) 150W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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IRF9530NPBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
P-Manica 100 V 14A (TC) 79W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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IRF9540NSTRLPBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
P-Manica 100 V 23A (TC) 3.1W (tum), supporto D2PAK della superficie 110W (TC)
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Infineon
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IRF9362TRPBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie 8-SO di matrice 30V 8A 2W del Mosfet
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Infineon
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IRF9540PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
P-Manica 100 V 19A (TC) 150W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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VISHAY
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IRF9640STRLPBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
P-Manica 200 V 11A (TC) 3W (tum), 125W (TC) ² PAK (TO-263) del supporto D della superficie
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VISHAY
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IRF9640PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
P-Manica 200 V 11A (TC) 125W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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IRF9358TRPBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie 8-SO di matrice 30V 9.2A 2W del Mosfet
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Infineon
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IRF9Z24NSTRLPBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
P-Manica 55 V 12A (TC) 3.8W (tum), supporto D2PAK della superficie 45W (TC)
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Infineon
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IRF9630PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
P-Manica 200 V 6.5A (TC) 74W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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VISHAY
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IRF9Z34NPBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
P-Manica 55 V 19A (TC) 68W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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IRF9530NSTRLPBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
P-Manica 100 V 14A (TC) 3.8W (tum), supporto D2PAK della superficie 79W (TC)
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Infineon
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IRF9Z24NPBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
P-Manica 55 V 12A (TC) 45W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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IRF9310TRPBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie 2.5W (tum) 8-SO di P-Manica 30 V 20A (TC)
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Infineon
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IRG4BC30KDPBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
IGBT 600 V 28 A 100 W attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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IRG4BC30KDSTRRP Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
IGBT 600 V 28 A 100 W Supporto di superficie D2PAK
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Infineon
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IRF9540NPBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
P-Manica 100 V 23A (TC) 140W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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IRF9321TRPBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie 2.5W (tum) 8-SO di P-Manica 30 V 15A (tum)
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Infineon
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