Tipo per tutti gli usi singola configurazione del transistor NPN di CC 0.15A di 2SD2227STPW 50V
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Transistor bipolare (BJT) NPN 50 V 150 mA 250MHz 300 Mw attraverso il foro SPT
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, IMPEGNO
Specifiche
Polarità del transistor:
NPN
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
50V
Tensione di base VCBO del collettore:
60V
Tensione emittenta-base VEBO:
12V
Corrente CC massima del collettore:
0.15A
Prodotto fT di larghezza di banda di guadagno:
250 megahertz
Temperatura di funzionamento massima:
+ 150 C
HFE di guadagno corrente di CC massimo:
1200 a 1 mA a 5 V
Punto culminante:
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
Introduzione
2SD2227S NPN PNP Transistor di uso generale Transistor 50V 0,15A
Transistor a potenza media (circa 25 V, 1,2 V), transistor a uso generale (circa 50 V, 0,15 A)
Caratteristiche
1) Aumento elevato di corrente continua.
2) Alta tensione di base dell'emettitore (VCBO=12V)
3) bassa tensione di saturazione (tipo VCE (sat) = 0,3V a IC/IB=50mA/5mA)
| Attributo del prodotto | Valore attributivo |
| Modello di montaggio: | SMD/SMT |
| Polarità del transistor: | NPN |
| Configurazione: | Non sposato |
| Voltaggio VCEO Max del collettore-emittente: | 50 V |
| Collettore-tensione di base VCBO: | 60 V |
| Voltaggio di emissione-base VEBO: | 12V |
| Corrente massima del collettore CC: | 0.15A |
| Prodotto di banda larga di guadagno fT: | 250 MHz |
| Temperatura massima di funzionamento: | + 150 C |
| Guadagno di corrente continua hFE Max: | 1200 a 1 mA a 5 V |
| Corrente continua del collettore: | 0.15A |
| Pd - Dissipazione di potenza: | 300 mW |
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MOQ:
10 PCS