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Transistor di potenza di BFS505,115 15V rf, transistor di superficie del supporto di 18mA 9GHz 150mW

fabbricante:
NXP
Descrizione:
Supporto di superficie SC-70 del transistor NPN 15V 18mA 9GHz 150mW di rf
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, IMPEGNO
Specifiche
Categorie:
Transistor - bipolari (BJT) - rf
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):
15V
Frequenza - transizione:
9GHz
Figura di rumore (tipo di dB @ f):
1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz
Massimo elettrico:
150mW
Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce:
60 @ 5mA, 6V
Corrente - collettore (CI) (massimo):
18mA
Temperatura di funzionamento:
175°C (TJ)
Punto culminante:

resistor equipped transistor

,

silicon npn power transistors

Introduzione

BFS505 NPN PNP Transistor RF Transistor NPN 15V 18mA 9GHz 150mW Montaggio di superficie

NPN 9 GHz transistor a banda larga

Caratteristiche
• Basso consumo di corrente
• Aumento di potenza elevato
• Basso numero di rumori
• Alta frequenza di transizione
• La metalizzazione dell'oro
eccellente affidabilità
• busta SOT323.
Descrizione
Transistor NPN in una SOT323 di plastica
La busta.
destinato ad amplificatori a bassa potenza,
oscillatori e miscelatori, in particolare per
Comunicazione portatile RF
apparecchiature (telefoni cellulari, cordless
Telefoni, cercapersone) fino a 2 GHz.

Attributi del prodotto Selezionare tutti
Categorie Prodotti di semiconduttori discreti
  Transistor - Bipolare (BJT) - RF
Produttore USA Inc.
Serie -
Imballaggio Nastro e bobina (TR)
Status della parte Non utilizzato
Tipo di transistor NPN
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max) 15V
Frequenza - Transizione 9 GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 1.2dB ~ 2.1dB @ 900 MHz
Guadagno -
Potenza - Max 150 mW
Cfr. la sezione 5.2. 60 @ 5mA, 6V
Corrente - Collettore (Ic) (Max) 18mA
Temperatura di funzionamento 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa SC-70, SOT-323
Confezione del dispositivo del fornitore SOT-323-3

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