Transistor di potenza di BFS505,115 15V rf, transistor di superficie del supporto di 18mA 9GHz 150mW
Specifiche
Categorie:
Transistor - bipolari (BJT) - rf
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):
15V
Frequenza - transizione:
9GHz
Figura di rumore (tipo di dB @ f):
1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz
Massimo elettrico:
150mW
Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce:
60 @ 5mA, 6V
Corrente - collettore (CI) (massimo):
18mA
Temperatura di funzionamento:
175°C (TJ)
Punto culminante:
resistor equipped transistor
,silicon npn power transistors
Introduzione
BFS505 NPN PNP Transistor RF Transistor NPN 15V 18mA 9GHz 150mW Montaggio di superficie
NPN 9 GHz transistor a banda larga
Caratteristiche
• Basso consumo di corrente
• Aumento di potenza elevato
• Basso numero di rumori
• Alta frequenza di transizione
• La metalizzazione dell'oro
eccellente affidabilità
• busta SOT323.
Descrizione
Transistor NPN in una SOT323 di plastica
La busta.
destinato ad amplificatori a bassa potenza,
oscillatori e miscelatori, in particolare per
Comunicazione portatile RF
apparecchiature (telefoni cellulari, cordless
Telefoni, cercapersone) fino a 2 GHz.
Attributi del prodotto | Selezionare tutti |
Categorie | Prodotti di semiconduttori discreti |
Transistor - Bipolare (BJT) - RF | |
Produttore | USA Inc. |
Serie | - |
Imballaggio | Nastro e bobina (TR) |
Status della parte | Non utilizzato |
Tipo di transistor | NPN |
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max) | 15V |
Frequenza - Transizione | 9 GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.2dB ~ 2.1dB @ 900 MHz |
Guadagno | - |
Potenza - Max | 150 mW |
Cfr. la sezione 5.2. | 60 @ 5mA, 6V |
Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 18mA |
Temperatura di funzionamento | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Confezione / Cassa | SC-70, SOT-323 |
Confezione del dispositivo del fornitore | SOT-323-3 |
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