Il transistor per tutti gli usi del Mosfet di potere (silicio) di NPN Pb−Free imballa MMBT3904LT1G
Specifiche
Tensione di Collector−Emitter:
40 VCC
Tensione di Collector−Base:
60 VCC
Tensione di Emitter−Base:
6,0 VCC
− della corrente di collettore continuo:
mAdc 200
Temperatura di stoccaggio e della giunzione:
−55 a °C +150
Punto culminante:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Introduzione
Transistor per tutti gli usi
Silicio di NPN
VALUTAZIONI MASSIME
Valutazione | Simbolo | Valore | Unità |
Tensione di Collector−Emitter | VCEO | 40 | VCC |
Tensione di Collector−Base | VCBO | 60 | VCC |
Tensione di Emitter−Base | VEBO | 6,0 | VCC |
− della corrente di collettore continuo | IC | 200 | mAdc |
CARATTERISTICHE TERMICHE
Caratteristica | Simbolo | Massimo | Unità |
Bordo totale di dissipazione FR−5 del dispositivo (Nota 1) @TA = 25°C Riduca le imposte su sopra 25°C |
Palladio | 225 1,8 | Mw mW/°C |
Resistenza termica, Junction−to−Ambient | RJA | 556 | °C/W |
Allumina totale di dissipazione del dispositivo Substrato, (nota 2) @TA = 25°C Riduca le imposte su sopra 25°C |
Palladio |
300 2,4 |
Mw mW/°C |
Resistenza termica, Junction−to−Ambient | RJA | 417 | °C/W |
Temperatura di stoccaggio e della giunzione | TJ, Tstg | −55 a +150 | °C |
Prova di impulso: Larghezza di impulso 300 s, duty cycle 2,0%. F
PRODOTTI RELATIVI
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ:
5pcs