Transistor per tutti gli usi del transistor PNP del Mosfet di potere BC327-40
power mosfet ic
,silicon power transistors
Offerta di riserva (vendita calda)
Numero del pezzo. | Quantità | Marca | D/C | Pacchetto |
ESP8266EX | 5982 | ESPRESSIF | 14+ | QFN32 |
ETC1.6-4-2-3TR | 4563 | M/A-COM | 15+ | SMD |
EX5418-EG11 | 7577 | EETI | 13+ | QFN |
EXC7900-SG11 | 4967 | EETI | 13+ | QFN |
EXCCET103U | 9515 | PANASONIC | 16+ | SMD |
EZ80190AZ050SG | 2645 | ZILOG | 05+ | QFP |
F2405S-1WR2 | 4629 | MORNSUN | 16+ | SORSATA |
F65550B | 1918 | CHIP | 13+ | QFP |
FA5518N-A2-TE1 | 9586 | FUJITSU | 14+ | SOP-8 |
FAN1112DX | 20504 | FAIRCHILD | 16+ | TO-252 |
FAN3225TMPX | 3081 | FAIRCHILD | 16+ | DFN-8 |
FAN3225TMX | 5365 | FAIRCHILD | 13+ | SOP-8 |
FAN6862TY | 13420 | FAIRCHILD | 16+ | SSOT-6 |
FAN9612MX | 7548 | FAIRCHILD | 12+ | SOP-8 |
FC-135 32.7680KA | 4093 | EPSON | 13+ | SMD |
FCB11N60TM | 12339 | FAIRCHILD | 15+ | TO-263 |
FCX495TA | 46000 | ZETEX | 14+ | SOT-89 |
FDB3632 | 8071 | FAIRCHILD | 14+ | TO-263 |
FDC6330L | 7527 | FAIRCHILD | 04+ | SOT-163 |
FDC6420C | 20575 | FAIRCHILD | 14+ | SOT-163 |
FDD4141 | 9286 | FAIRCHILD | 16+ | TO-252 |
FDD850N10L | 20646 | FAIRCHILD | 11+ | TO-252 |
FDH055N15A | 7591 | FAIRCHILD | 15+ | TO-247 |
FDL100N50F | 3233 | FAIRCHILD | 13+ | TO-264 |
FDLL4148 | 25000 | FAIRCHILD | 15+ | LL34 |
FDMS3604S | 5436 | FAIRCHILD | 16+ | QFN |
FDMS86500L | 8142 | FAIRCHILD | 13+ | QFN-8 |
FDMS86520L | 7901 | FAIRCHILD | 15+ | QFN |
FDMS8672S | 6190 | FAIRCHILD | 16+ | QFN-8 |
FDMS8692 | 20717 | FAIRCHILD | 16+ | QFN |
Transistor per tutti gli usi di BC327 PNP
CARATTERISTICHE
• A corrente forte (massimo 500 mA)
• Bassa tensione (massimo 45 V).
APPLICAZIONI
• Commutazione ed amplificazione per tutti gli usi, per esempio driver e stadi di uscita degli amplificatori audio.
DESCRIZIONE
Transistor di PNP in un TO-92; Pacchetto di plastica SOT54. Complemento di NPN: BC337.
VALORI LIMITE
Conformemente al sistema di valutazione massimo assoluto (IEC 134).
SIMBOLO | PARAMETRO | CIRCOSTANZE | Minuto. | MASSIMO. | UNITÀ |
VCBO | tensione della collettore-base | emettitore aperto | − | −50 | V |
VCEO | tensione dell'collettore-emettitore | base aperta | − | −45 | V |
VEBO | tensione emittenta-base | collettore aperto | − | −5 | V |
IC | corrente di collettore (CC) | − | −500 | mA | |
ICM | corrente di collettore di punta | − | −1 | ||
IBM | corrente di base di punta | − | −200 | mA | |
Ptot | dissipazione di potere totale | °C del ≤ 25 di Tamb; nota 1 | − | 625 | Mw |
Tstg | temperatura di stoccaggio | −65 | +150 | °C | |
Tj | temperatura di giunzione | − | 150 | °C | |
Tamb | temperatura ambiente di funzionamento | −65 | +150 | °C |
Il transistor della nota 1. ha montato su un bordo del circuito stampato FR4.
Fig.1 ha semplificato il profilo (TO-92; SOT54) e simbolo.