Il Mosfet IC IRF1404PBF di potere della fossa ha avanzato la Su resistenza ultrabassa
npn smd transistor
,silicon power transistors
Il Mosfet IC IRF1404PBF di potere della fossa ha avanzato la Su resistenza ultrabassa
Descrizione
I settimi MOSFETs di potere della generazione HEXFETÆ dal raddrizzatore internazionale utilizzano le tecniche di trattamento avanzate per raggiungere estremamente - la su resistenza bassa per area del silicio. Questo beneficio, combinato con la velocità di commutazione veloce e la progettazione resa resistente del dispositivo cui i MOSFETs di potere di HEXFET sono ben noti per, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente ed affidabile per uso in un'ampia varietà di applicazioni compreso automobilistico.
Il pacchetto TO-220 è preferito universalmente per tutte le applicazioni di automobilistico-commerciale-industriale ai livelli della dissipazione di potere a circa 50 watt. La resistenza termica bassa ed il costo basso del pacchetto del TO-220 contribuiscono alla sua ampia accettazione in tutto l'industria.
? Tecnologia della trasformazione avanzata?
Su resistenza ultrabassa?
Valutazione dinamica di dv/dt? 175°C
Temperatura di funzionamento?
Commutazione veloce?
Completamente valanga valutata?
Automobilistico qualificato (Q101)?
Senza piombo
Note sulle curve ripetitive della valanga, figure 15, 16: (Per ulteriori informazioni, vedi AN-1005 a www.irf.com)
1. Presupposto di guasti della valanga: Puramente un fenomeno e un guasto termici si presenta ad una temperatura lontano al di sopra di Tjmax. Ciò è convalidata per ogni tipo della parte.
2. L'operazione sicura in valanga è permessa poichè il asTjmax lungo non è oltrepassato.
3. Equazione qui sotto basata sul circuito e sulle forme d'onda come appare le figure 12a, 12b.
4. Palladio (viale) = dissipazione di potere medio per singolo impulso della valanga.
5. La BV = tensione di ripartizione stimata (il fattore 1,3 rappresenta l'aumento di tensione durante la valanga).
6. Iav = corrente permissibile della valanga.
7. ∆T = aumento permissibile nella temperatura di giunzione, non superare Tjmax (ha presupposto come 25°C nella figure 15, 16). tav = tempo medio in valanga. D = duty cycle in valanga = nel tav ·la f ZthJC (D, tav) = la resistenza termica transitoria, vede la figura 11)
| Parametro | Tipo | Massimo. | Unità | |
| RθJC | Giunzione--caso | -- | 0,45 | °C/W |
| RθCS | Caso--lavandino, superficie piana e unta | 0,50 | --- | |
| RθJA | Giunzione--ambientale | -- | 62 |
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro
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