Mosfet complementare di plastica di potere di DarliCM GROUPon, transistor di potenza 2N6038 del silicio
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Mosfet complementare di plastica di potere di DarliCM GROUPon, transistor di potenza 2N6038 del silicio
I transistor di potenza complementari di plastica del silicio di DarliCM GROUPon sono progettati per l'amplificatore per tutti gli usi e le applicazioni di commutazione low−speed.
• Alto guadagno corrente di CC — hFE = 2000 (tipo) @ IC = 2,0 ADC
• Tensione di mantenimento dell'Collettore-emettitore — @ mAdc 100
VCEO (sus) = 60 VCC (min) — 2N6035, 2N6038 = 80 VCC
(Min) — 2N6036, 2N6039
• Capacità corrente influenzata di andata di seconda ripartizione IS/b = 1,5 ADC @ 25 VCC
• Costruzione monolitica con le resistenze incorporate dell'emettitore di base a moltiplicazione di LimitELeakage
• Alto pacchetto di plastica di rapporto TO-225AA di Prestazione--costo di economia di spazio
| Valutazione | Simbolo | Valore | Unità |
|
Tensione 2N6034 di Collector−Emitter 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCEO |
40 60 80 |
VCC |
|
Tensione 2N6034 di Collector−Base 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCBO |
40 60 80 |
VCC |
| Tensione di Emitter−Base | VEBO | 5,0 | VCC |
|
Corrente di collettore Continuo Picco |
IC |
4,0 8,0 |
ADC Apk |
| Corrente di base | IB | 100 | mAdc |
|
Dissipazione totale del dispositivo @ TC = 25°C Riduca le imposte su sopra 25°C |
Palladio |
40 320 |
W mW/°C |
|
Dissipazione totale del dispositivo @ TC = 25°C Riduca le imposte su sopra 25°C |
Palladio |
1,5 12 |
W mW/°C |
| Gamma di temperature della giunzione di stoccaggio e di funzionamento | TJ, Tstg | – 65 - +150 | °C |
| Caratteristica | Simbolo | Massimo | Unità |
| Resistenza termica, Junction−to−Case | RJC | 3,12 | °C/W |
| Resistenza termica, Junction−to−Ambient | RJA | 83,3 | °C/W |
Gli sforzi che superano le valutazioni massime possono danneggiare il dispositivo. Le valutazioni massime sono valutazioni di sforzo soltanto. L'operazione funzionale sopra le condizioni di gestione raccomandate non è implicata. L'esposizione estesa agli sforzi sopra le condizioni di gestione raccomandate può colpire l'affidabilità del dispositivo.
| Caratteristica | Simbolo | Min | Massimo | Unità |
| FUORI DALLE CARATTERISTICHE | ||||
|
Tensione di mantenimento di Collector−Emitter (IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6034 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCEO (sus) |
40 60 80 |
-- -- -- |
VCC |
|
Corrente di Collector−Cutoff (VCE = 40 VCC, IB = 0) 2N6034 (VCE = 60 VCC, IB = 0) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VCC, IB = 0) 2N6036, 2N6039 |
ICEO |
-- -- -- |
100 100 100 |
uA |
|
Corrente di Collector−Cutoff (VCE = 40 VCC, VBE (fuori) = 1,5 VCC) 2N6034 (VCE = 60 VCC, VBE (fuori) = 1,5 VCC) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VCC, VBE (fuori) = 1,5 VCC) 2N6036, 2N6039 (VCE = 40 VCC, VBE (fuori) = 1,5 VCC, TC = 125C) 2N6034 (VCE = 60 VCC, VBE (fuori) = 1,5 VCC, TC = 125C) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VCC, VBE (fuori) = 1,5 VCC, TC = 125C) 2N6036, 2N6039 |
ICEX |
-- -- -- -- -- -- |
100 100 100 500 500 500 |
uA |
|
Corrente di Collector−Cutoff (VCB = 40 VCC, IE = 0) 2N6034 (VCB = 60 VCC, IE = 0) 2N6035, 2N6038 (VCB = 80 VCC, IE = 0) 2N6036, 2N6039 |
ICBO |
-- -- -- |
0,5 0,5 0,5 |
mAdc |
| Corrente di Emitter−Cutoff (VBE = 5,0 VCC, IC = 0) | IEBO | -- | 2,0 | mAdc |
| SULLE CARATTERISTICHE | ||||
|
Guadagno corrente di CC (IC = 0,5 ADC, VCE = 3,0 VCC) (IC = 2,0 ADC, VCE = 3,0 VCC) (IC = 4,0 ADC, VCE = 3,0 VCC) |
hFE |
500 750 100 |
-- 15.000 -- |
-- |
|
Tensione di saturazione di Collector−Emitter (IC = 2,0 ADC, IB = mAdc 8,0) (IC = 4,0 ADC, IB = mAdc 40) |
VCE (si è seduto) |
-- -- |
2,0 3,0 |
VCC |
|
Tensione di saturazione di Base−Emitter (IC = 4,0 ADC, IB = mAdc 40) |
VBE (si è seduto) | -- | 4,0 | VCC |
|
Base−Emitter su tensione (IC = 2,0 ADC, VCE = 3,0 VCC) |
VBE (sopra) | -- | 2,8 | VCC |
| CARATTERISTICHE DINAMICHE | ||||
|
Small−Signal Current−Gain (IC = 0,75 ADC, VCE = 10 VCC, f = 1,0 megahertz) |
|hfe| | 25 | -- | -- |
|
Capacità di uscita (VCB = 10 VCC, IE = 0, f = 0,1 megahertz) 2N6034, 2N6035, 2N6036 2N6038, 2N6039 |
Pannocchia |
-- -- |
200 100 |
PF |
I *Indicates JEDEC hanno registrato i dati.
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro
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