Transistor planare epitassiale del silicio PNP, audio mosfet di potere 2SB1560
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Transistor bipolare (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50 MHz 100 W Foro passante TO-3P
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Open emitter:
-160 V
Open base:
-150 V
Open collector:
-5 V
TC=25℃:
100 W
Punto culminante:
npn smd transistor
,silicon power transistors
Introduzione
Transistor planare epitassiale del silicio PNP, audio mosfet di potere 2SB1560
DESCRIZIONE
·Con il pacchetto di TO-3PN
·Complemento per scrivere 2SD2390 a macchina
APPLICAZIONI
·Audio, regolatore ed uso generale
APPUNTARE
| PIN | DESCRIZIONE |
| 1 | Base |
| 2 | Collettore; collegato a montare base |
| 3 | Emettitore |
Valutazioni massime assolute (Ta=℃)
| SIMBOLO | PARAMETRO | CIRCOSTANZE | VALORE | UNITÀ |
| VCBO | tensione della Collettore-base | Emettitore aperto | -160 | V |
| VCEO | tensione dell'Collettore-emettitore | Base aperta | -150 | V |
| VEBO | Tensione emittenta-base | Collettore aperto | -5 | V |
| IC | Corrente di collettore | -10 | ||
| IB | Corrente di base | 1 | ||
| PC | Dissipazione di potere del collettore | TC=25℃ | 100 | W |
| Tj | Temperatura di giunzione | 150 | ℃ |
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