Potere complementare DarliCM GROUPon Transistors del silicio del transistor del Mosfet di potere TIP122
npn smd transistor
,multi emitter transistor
TIP120/121/122
TIP125/126/127
TRANSISTOR COMPLEMENTARI DI POTERE DARLICM GROUPON DEL SILICIO
■STMicroelectronics HA PREFERITO SALESTYPES
DESCRIZIONE
I TIP120, i TIP121 e i TIP122 sono transistor di potenza della Epitassiale-base NPN del silicio nella configurazione monolitica di DarliCM GROUPon montata in pacchetto di plastica di Jedec TO-220. Intented per uso nelle applicazioni lineari e di commutazioni di potere. I tipi complementari di PNP sono TIP125, TIP126 e TIP127, rispettivamente.
VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE
Simbolo | Parametro | Valore | Unità | |||
NPN | TIP120 | TIP121 | TIP122 | |||
PNP | TIP125 | TIP126 | TIP127 | |||
VCBO | Tensione della Collettore-base (IE = 0) | 60 | 80 | 100 | V | |
VCEO | Tensione dell'Collettore-emettitore (IB = 0) | 60 | 80 | 100 | V | |
VEBO | RAPPRESENTAZIONE SCHEMATICA INTERNA (IC = 0) | 5 | V | |||
IC | Corrente di collettore | 5 | ||||
ICM | Picco di corrente del collettore | 8 | ||||
IB | Corrente di base | 0,1 | ||||
Ptot |
Dissipazione totale al ℃ del ≤ 25 di Tcase ℃ del ≤ 25 di Tamb |
65 2 |
W | |||
Tstg | Temperatura di stoccaggio | -65 - 150 | ℃ | |||
Tj | Temperatura di giunzione di Max. Operating | 150 | ℃ |
TO-220 RAPPRESENTAZIONE SCHEMATICA INTERNA