TRANSISTOR PLANARE EPITASSIALE di BD140 3 Pin Transistor PNP
Specifiche
VCBO:
-100 V
VCEO:
VCEO -80 V
VEBO:
-5 V
IC:
-1.5 A
IB:
-0.5 A
Punto culminante:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Introduzione
APPLICAZIONE PER TUTTI GLI USI.
CARATTERISTICHE
·A corrente forte. (Massimo: -1.5A)
·Guadagno corrente di CC: hFE=40Min. @IC=-0.15A
·Complementare a BD139.
VALUTAZIONE MASSIMA (Ta=25℃)
CARATTERISTICA | SIMBOLO | VALUTAZIONE | UNITÀ |
Tensione della Collettore-base | VCBO | -100 | V |
Tensione dell'Collettore-emettitore | VCEO | -80 | V |
Tensione emittenta-base | VEBO | -5 | V |
Corrente di collettore | IC | -1,5 | |
Corrente di base | IB | -0,5 |
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