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Modulo 600V, fermata di campo 60A IGBT del Mosfet di potere di FGH60N60SFDTU

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
IGBT Field Stop 600 V 120 A 378 W Through Hole TO-247-3
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Collector to Emitter Voltage:
600 V
Gate to Emitter Voltage:
± 20 V
Collector Current @ TC = 25℃:
120 A
Pulsed Collector Current @ TC = 25℃:
180 A
Operating Junction Temperature:
-55 to +150 ℃
Storage Temperature Range:
-55 to +150 ℃
Punto culminante:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introduzione

FGH60N60SFD

600V, fermata di campo 60A IGBT

Caratteristiche

• Capacità a corrente forte

• Tensione di saturazione bassa: VCE (si è seduto) =2.3V @ IC = 60A

• Alta impedenza dell'input

• Commutazione veloce

• RoHS compiacente

Applicazioni

• Riscaldamento di induzione, UPS, SMPS, PFC

Descrizione generale

Facendo uso della tecnologia novella di arresto di campo IGBT, la nuova serie di Fairchild di fermata di campo IGBTs offre la prestazione ottimale per le applicazioni del riscaldamento di induzione, di UPS, di SMPS e di PFC dove la conduzione e le perdite basse di commutazione sono essenziali.

Valutazioni massime assolute

Simbolo Descrizione Valutazioni Unità
VCES Collettore a tensione dell'emettitore 600 V
VGES Portone a tensione dell'emettitore ± 20 V
IC Corrente di collettore @ TC = 25℃ 120
Corrente di collettore @ TC = 100℃ 60
ICM (1) Corrente di collettore pulsata @ TC = 25℃ 180
Palladio Dissipazione di potere massima @ TC = 25℃ 378 W
Dissipazione di potere massima @ TC = 100℃ 151 W
TJ Temperatura di giunzione di funzionamento -55 - +150
Tstg Gamma di temperature di stoccaggio -55 - +150
TL Impiegati massimi del cavo. per gli scopi di saldatura, 1/8" dall'argomento per 5 secondi 300

Note: 1: Prova ripetitiva, larghezza di impulso limitata dalla temperatura massima di juntion

Dimensioni meccaniche

TO-247AB (CODICE 001 DEL PACCHETTO DI FKS)

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