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Casa > prodotti > chip elettronici di CI > N - Il MANICA Zener ha protetto il transistor⑩ STP10NK80ZFP del Mosfet di potere di SuperMESH

N - Il MANICA Zener ha protetto il transistor⑩ STP10NK80ZFP del Mosfet di potere di SuperMESH

N - Il MANICA Zener ha protetto il transistor⑩ STP10NK80ZFP del Mosfet di potere di SuperMESH
N - Il MANICA Zener ha protetto il transistor⑩ STP10NK80ZFP del Mosfet di potere di SuperMESH
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
N-Channel 800 V 9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Tensione di Scolo-fonte:
800 V
Drain-gate Voltage:
800 V
Gate- source Voltage:
± 30 V
Peak Diode Recovery voltage slope:
4.5 V/ns
Operating Junction Temperature:
-55 to 150°C
Storage Temperature:
-55 to 150°C
Punto culminante:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introduzione


STP10NK80Z - STP10NK80ZFP
STW10NK80Z

N-MANICA 800V - 0.78Ω - MOSFET Zener-protetto di 9A TO-220/TO-220FP/TO-247 SuperMESH™Power

TIPOVDSSRDS (sopra)IdentificazionePw

STP10NK80Z

STP10NK80ZFP

STW10NK80Z

800 V

800 V

800 V

< 0="">

< 0="">

< 0="">

9 A

9 A

9 A

160 W

40 W

160 W


■RDS TIPICO (sopra) = 0,78 Ω
■CAPACITÀ ESTREMAMENTE ALTA di dv/dt
■LA VALANGA 100% HA PROVATO
■LA TASSA DEL PORTONE HA MINIMIZZATO
■CAPACITÀ INTRINSECHE BASSE STESSE
■BUON REPEATIBILITY FABBRICANTE STESSO

DESCRIZIONE
La serie di SuperMESH™ è ottenuta con un'ottimizzazione estrema della disposizione stripbased affermata del PowerMESH™ della st. Oltre a spingere la su resistenza significativamente, la cura speciale è presa per assicurare una capacità molto buona di dv/dt per le applicazioni più esigenti. Tali serie complementa la gamma completa della st di MOSFETs ad alta tensione compreso i prodotti rivoluzionari di MDmesh™.

APPLICAZIONI
■COMMUTAZIONE A CORRENTE FORTE E AD ALTA VELOCITÀ
■ALIMENTAZIONI ELETTRICHE DI MODO DEL COMMUTATORE
■CONVERTITORI DI DC-AC PER SALDATURA, UPS E L'AZIONAMENTO DEL MOTORE

VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE

SimboloParametroValoreUnità
STP10NK80ZSTP10NK80ZFPSTW10NK80Z
VDStensione di Scolo-fonte (VGS = 0)800V
VDGRtensione del Scolo-portone (RGS = kΩ 20)800V
VGSTensione di fonte di portone± 30V
IdentificazioneVuoti corrente (continuo) a TC = 25°C99 (*)9
IdentificazioneVuoti corrente (continuo) a TC = 100°C66 (*)6
IDM (•?)Corrente dello scolo (pulsata)3636 (*)36
PTOTDissipazione totale a TC = 25°C16040160W
Ridurre le imposte su fattore1,280,321,28W/°C
VESD (G-S)Fonte ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) del portone4Chilovolt
dv/dt (1)Pendio di punta di tensione di recupero del diodo4,5V/ns
VISOL'isolamento resiste alla tensione (CC)-2500-V

Tj

Tstg

Temperatura di giunzione di funzionamento

Temperatura di stoccaggio

-55 - 150

-55 - 150

°C

(? •) Larghezza di impulso limitata da area di funzionamento sicuro
(1) ISD ≤9A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V (BR) DSS, ≤ TJMAX di VDD di Tj.
(*) ha limitato soltanto dalla temperatura massima conceduta



Offerta di riserva (vendita calda)

Numero del pezzo.Q'tyMFGD/CPacchetto
LB12406500SU14+DIP18
A4982SLPTR-T6500ALLEGRO15+TSSOP-24
ADS1110A0IDBVR6494TI15+SOT23-6
AD8655ARZ6490ANNUNCIO15+SOP-8
MAX3072EESA+6489MASSIMO13+CONTENTINO
ATMEGA32-16AU6489ATMEL15+QFP44
MAX3100CEE+6481MASSIMO14+SSOP
MAX4714EXT6480MASSIMO15+BEONE
AD8676ARZ6476ANNUNCIO15+SOP-8
LA79116475SANYO15+DIP-16
ADP1710AUJZ-R76462ANNUNCIO14+SOT23
LA36006450SANYO10+DIP-16
L6221C6425St13+DIP-16
MAX8211ESA+6419MASSIMO13+CONTENTINO
PIC10F222T-I/OT6409MICROCHIP14+BEONE
LT3572EUF#PBF6408LINEARE14+QFN
L293B6400St12+DIP16
MAX3077EESA6390MASSIMO12+CONTENTINO
MBI5039GP6387MBI15+SSOP
MPC801KG6375BB14+IMMERSIONE
PIC16F1828-I/SS6374MICROCHIP15+SSOP



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