Il transistor del Mosfet di potere di MGW12N120D ha isolato il transistor bipolare del portone con il diodo antiparallelo
npn smd transistor
,silicon power transistors
Transistor bipolare isolato del portone con il diodo antiparallelo
Porta al silicio di Potenziamento-modo di N-Manica
IGBT & DIODO IN TO-247
12 A @ 90°C
20 A @ 25°C
1200 VOLT
CORTOCIRCUITO VALUTATO
Questo transistor bipolare isolato del portone (IGBT) co-è imballato con un raddrizzatore ultraveloce di recupero morbido ed usa uno schema di conclusione anticipata per fornire alta una capacità aumentata ed affidabile di tensione-didascalia. Il cortocircuito ha valutato IGBT specificamente è adatto per le applicazioni che richiedono un cortocircuito garantito di resistere al tempo quali gli azionamenti del controllo motorio. Le caratteristiche di commutazione veloci provocano l'operazione efficiente alle alte frequenze. lo spazio dei risparmi di IGBT Co-imballato, riduce il tempo di montaggio ed il costo.
• Pacchetto di alto potere TO-247 dello standard industriale con il foro di montaggio isolato
• Eoff ad alta velocità: 150? J/A tipico a 125°C
• Alta capacità di cortocircuito – 10? minimo di s
• Il diodo spingente libero di recupero morbido è incluso nel pacchetto
• Termine ad alta tensione robusto
• RBSOA robusto
VALUTAZIONI MASSIME (TJ = 25°C salvo indicazione contraria)
Valutazione | Simbolo | Valore | Unità |
Tensione dell'Collettore-emettitore | VCES | 1200 | VCC |
Tensione del Collettore-portone (RGE = 1,0 MΩ) | VCGR | 1200 | VCC |
Tensione dell'Portone-emettitore — Continuo | VGE | ± 20 | VCC |
Corrente di collettore — Continuo @ TC = 25°C — Continuo @ TC = 90°C — Corrente pulsata ripetitiva (1) |
IC25 IC90 ICM |
20 12 40 |
VCC
Apk |
Dissipazione di potere totale @ TC = 25°C Riduca le imposte su sopra 25°C |
Palladio |
125 0,98 |
Watt W/°C |
Gamma di temperature della giunzione di stoccaggio e di funzionamento | TJ, Tstg | – 55 - 150 | °C |
Il cortocircuito resiste al tempo (VCC = 720 VCC, VGE = 15 VCC, TJ = 125°C, RG = Ω 20) |
TSC | 10 | ? μs |
Resistenza termica — Giunzione per rivestire – IGBT — Giunzione per rivestire – diodo — Giunzione ad ambientale |
RθJC RθJC RθJA |
1,0 1,4 45 |
°C/W |
Temperatura massima per gli scopi di saldatura, 1/8 di ″ del cavo dall'argomento per 5 secondi | TL | 260 | °C |
Montando coppia di torsione, 6-32 o vite M3 | lbf* 10? in (N 1,13? *m) |
(1) la larghezza di impulso è limitata dalla temperatura di giunzione massima. Valutazione ripetitiva.
DIMENSIONI DEL PACCHETTO
Offerta di riserva (vendita calda)
Numero del pezzo. | Q'ty | MFG | D/C | Pacchetto |
L9616D | 3785 | St | 15+ | SOP8 |
LM7818CT | 7181 | NSC | 14+ | TO-220 |
2MBI100N-060 | 418 | FUJI | 12+ | MODULO |
PMBS3904 | 60000 | 14+ | SOT-23 | |
MT41K128M16JT-125: K | 7044 | MICRON | 14+ | BGA |
P80C31BH-1 | 9620 | INTEL | 16+ | IMMERSIONE |
LXT906PC | 4933 | LEVELONE | 16+ | PLCC |
LTC3440EMS | 6740 | LT | 16+ | MSOP |
MAX3232EIPWR | 11650 | TI | 14+ | TSSOP |
BTA24-600BW | 10000 | St | 15+ | TO-220 |
MSP430G2231IPW14R | 6841 | TI | 16+ | TSSOP |
MJF15031G | 86000 | SU | 16+ | TO-220 |
MC7805ABD2TR4G | 4072 | SU | 14+ | TO-263 |
MCP73871-2CCI/ML | 5626 | MICROCHIP | 16+ | QFN |
MCP1702-5002E/TO | 5050 | MICROCHIP | 16+ | TO-92 |
NCT3941S-A | 14560 | NUVOTON | 11+ | SOP-8 |
LM308H | 500 | NSC | 11+ | CAN-8 |
M27256-2F1 | 4179 | St | 16+ | IMMERSIONE |
LM75AD | 5432 | 14+ | SOP-8 | |
MAX6369KA+T | 4625 | MASSIMO | 14+ | BEONE |
PIC16F76T-I/SO | 4988 | MICROCHIP | 14+ | CONTENTINO |