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Casa > prodotti > chip elettronici di CI > MOSFET Zener-protetto di SuperMESHPower di N-MANICA del transistor del Mosfet di potere del mosfet di potere dello smd⑩ di P10NK80ZFP

MOSFET Zener-protetto di SuperMESHPower di N-MANICA del transistor del Mosfet di potere del mosfet di potere dello smd⑩ di P10NK80ZFP

MOSFET Zener-protetto di SuperMESHPower di N-MANICA del transistor del Mosfet di potere del mosfet di potere dello smd⑩ di P10NK80ZFP
MOSFET Zener-protetto di SuperMESHPower di N-MANICA del transistor del Mosfet di potere del mosfet di potere dello smd⑩ di P10NK80ZFP
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
N-Manica 800 V 9A (TC) 40W (TC) attraverso il foro TO-220FP
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Drain-source Voltage (VGS = 0):
800 V
tensione del Scolo-portone (RGS = kΩ 20):
800 V
Tensione di fonte di portone:
± 30 V
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=1.5KΩ):
4 KV
Pendio di punta di tensione di recupero del diodo:
4,5 V/ns
Operating Junction Temperature:
-55 to 150 °C
Punto culminante:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introduzione

STP10NK80Z - STP10NK80ZFP STW10NK80Z

N-MANICA 800V - 0.78Ω - MOSFET Zener-protetto di 9A TO-220/TO-220FP/TO-247 SuperMESH™Power

TIPO VDSS RDS (sopra) Identificazione Pw

STP10NK80Z

STP10NK80ZFP

STW10NK80Z

800 V

800 V

800 V

< 0="">

< 0="">

< 0="">

9 A

9 A

9 A

160 W

40 W

160 W

■RDS TIPICO (sopra) = 0,78 Ω

■CAPACITÀ ESTREMAMENTE ALTA di dv/dt

■LA VALANGA 100% HA PROVATO

■LA TASSA DEL PORTONE HA MINIMIZZATO

■CAPACITÀ INTRINSECHE BASSE STESSE

■BUON REPEATIBILITY FABBRICANTE STESSO

DESCRIZIONE

La serie di SuperMESH™ è ottenuta con un'ottimizzazione estrema della disposizione stripbased affermata del PowerMESH™ della st. Oltre a spingere la su resistenza significativamente, la cura speciale è presa per assicurare una capacità molto buona di dv/dt per le applicazioni più esigenti. Tali serie complementa la gamma completa della st di MOSFETs ad alta tensione compreso i prodotti rivoluzionari di MDmesh™.

APPLICAZIONI

■COMMUTAZIONE A CORRENTE FORTE E AD ALTA VELOCITÀ

■ALIMENTAZIONI ELETTRICHE DI MODO DEL COMMUTATORE

■CONVERTITORI DI DC-AC PER SALDATURA, UPS E L'AZIONAMENTO DEL MOTORE

VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE

Simbolo Parametro Valore Unità
STP10NK80Z STP10NK80ZFP STW10NK80Z
VDS tensione di Scolo-fonte (VGS = 0) 800 V
VDGR tensione del Scolo-portone (RGS = kΩ 20) 800 V
VGS Tensione di fonte di portone ± 30 V
Identificazione Vuoti corrente (continuo) a TC = 25°C 9 9 (*) 9
Identificazione Vuoti corrente (continuo) a TC = 100°C 6 6 (*) 6
IDM (? •?) Corrente dello scolo (pulsata) 36 36 (*) 36
PTOT Dissipazione totale a TC = 25°C 160 40 160 W
Ridurre le imposte su fattore 1,28 0,32 1,28 W/°C
VESD (G-S) Fonte ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) del portone 4 Chilovolt
dv/dt (1) Pendio di punta di tensione di recupero del diodo 4,5 V/ns
VISO L'isolamento resiste alla tensione (CC) - 2500 - V

Tj

Tstg

Temperatura di giunzione di funzionamento

Temperatura di stoccaggio

-55 - 150

-55 - 150

°C

°C

(? •?) larghezza di impulso limitata da area di funzionamento sicuro

(1) ISD ≤9A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V (BR) DSS, ≤ TJMAX di VDD di Tj.

(*) ha limitato soltanto dalla temperatura massima conceduta.

Offerta di riserva (vendita calda)

Numero del pezzo. Q'ty MFG D/C Pacchetto
BD82Q57 SLGZW 423 INTEL 10+ BGA
X28HC64P-12 2500 XICOR 13+ DIP-28
8909000938* 1024 BOSCH 14+ QFP
8905507184* 1013 BOSCH 15+ QFP
M48T08-150PC1 3594 St 14+ IMMERSIONE
LM318N 4965 NSC 14+ DIP-8
NTD2955-1G 4500 SU 14+ TO-251
PCF7936AS 2700 14+ BEONE
LPV358MX 6254 14+ SOP-8
XC5VSX50T-1FFG665I 178 XILINX 10+ BGA
PCF7935AS 2780 16+ BEONE
LTC4413EDD#TRPBF 6259 LINEARE 10+ QFN
LPC1114FBD48/302 2731 15+ QFP
NC7SZ175P6X 38000 FAIRCHILD 16+ SC70-6
LM340T-12 10000 NSC 15+ TO-220
MAX6301CSA+T 4137 MASSIMO 16+ CONTENTINO
MAX3232ECAE+T 11300 MASSIMO 16+ SSOP
XR2206CP 4000 EXAR 14+ DIP-16
OPA544T 7920 TI 14+ TO-220
PCA9517DR 12120 TI 14+ CONTENTINO
MC1455P1G 8399 SU 15+ IMMERSIONE

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