Invia messaggio
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Casa
prodotti
costruttori
Circa noi
risorse
Invii il RFQ
scaricamento
Casa > prodotti > chip elettronici di CI > MOSFET Zener-protetto di SuperMESHPower CI di potere di STP10NK70ZFP del Mosfet di N-MANICA elettrico⑩ del transistor

MOSFET Zener-protetto di SuperMESHPower CI di potere di STP10NK70ZFP del Mosfet di N-MANICA elettrico⑩ del transistor

MOSFET Zener-protetto di SuperMESHPower CI di potere di STP10NK70ZFP del Mosfet di N-MANICA elettrico⑩ del transistor
MOSFET Zener-protetto di SuperMESHPower CI di potere di STP10NK70ZFP del Mosfet di N-MANICA elettrico⑩ del transistor
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
N-Channel 700 V 8.6A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Drain-source Voltage (VGS = 0):
700 V
Drain-gate Voltage (RGS = 20 kΩ):
700 V
Gate- source Voltage:
± 30 V
Fonte ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) del portone:
4000 CHILOVOLT
Peak Diode Recovery voltage slope:
4.5 V/ns
Storage Temperature:
-55 to 150 °C
Punto culminante:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introduzione


STP10NK70Z STP10NK70ZFP
N-MANICA 700V - 0.75Ω - 8.6A TO-220/TO-220FP
MOSFET Zener-protetto di SuperMESH™Power

TIPOVDSSRDS (sopra)IdentificazionePw

STP10NK70Z

STP10NK70ZFP

700 V

700 V

< 0="">

< 0="">

8,6 A

8,6 A

150 W

35 W

■RDS TIPICO (sopra) = 0,75 Ω
■CAPACITÀ ESTREMAMENTE ALTA di dv/dt
■CAPACITÀ MIGLIORE DI ESD
■LA VALANGA 100% HA VALUTATO
■LA TASSA DEL PORTONE HA MINIMIZZATO
■CAPACITÀ INTRINSECHE BASSE STESSE
■BUON REPEATIBILITY FABBRICANTE STESSO

DESCRIZIONE
La serie di SuperMESH™ è ottenuta con un'ottimizzazione estrema della disposizione stripbased affermata del PowerMESH™ della st. Oltre a spingere la su resistenza significativamente, la cura speciale è presa per assicurare una capacità molto buona di dv/dt per le applicazioni più esigenti. Tali serie complementa la gamma completa della st di MOSFETs ad alta tensione compreso i prodotti rivoluzionari di MDmesh™.

APPLICAZIONI
■COMMUTAZIONE A CORRENTE FORTE E AD ALTA VELOCITÀ
■IDEALE PER LE ALIMENTAZIONI ELETTRICHE, GLI ADATTATORI E PFC OFFLINE

VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE

SimboloParametroValoreUnità
STP10NK70ZSTP10NK70ZFP
VDStensione di Scolo-fonte (VGS = 0)700V
VDGRtensione del Scolo-portone (RGS = kΩ 20)700V
VGSTensione di fonte di portone± 30V
IdentificazioneVuoti corrente (continuo) a TC = 25°C8,68,6 (*)
IdentificazioneVuoti corrente (continuo) a TC = 100°C5,45,4 (*)
IDM (•?)Corrente dello scolo (pulsata)3434 (*)
PTOTDissipazione totale a TC = 25°C15035W
Ridurre le imposte su fattore1,200,28W/°C
VESD (G-S)Fonte ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) del portone4000Chilovolt
dv/dt (1)Pendio di punta di tensione di recupero del diodo4,5V/ns
VISOL'isolamento resiste alla tensione (CC)-2500V

Tj

Tstg

Temperatura di giunzione di funzionamento

Temperatura di stoccaggio

-55 - 150

-55 - 150

°C

°C

(•?) larghezza di impulso limitata da area di funzionamento sicuro
(1) ISD ≤8.6A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V (BR) DSS, ≤ TJMAX di VDD di Tj.
(*) ha limitato soltanto dalla temperatura massima conceduta



Offerta di riserva (vendita calda)

Numero del pezzo.Q'tyMFGD/CPacchetto
MTD1361F7506SHINDENGE10+HSOP
8050HQLT1G10000SU15+SOT23
L6470HTR1299St14+TSSOP
LM5576MHX2483NSC14+TSSOP-20
LT3971EMSE-5#PBF3866LT16+MSOP
MOC3063SR2M5567FSC14+CONTENTINO
OPA4141AID7700TI12+CONTENTINO
PC2SD11NTZAK11300TAGLIENTE13+IMMERSIONE
MMBT2907A-7-F20000DIODI16+SOT-23
MCP1700T-3302E/TT10000MICROCHIP16+SOT-23
PIC10F202T-I/OT8950MICROCHIP16+BEONE
LM2936MX-5.03000NSC15+SOP-8
PIC24FJ64GA004-I/PT4138MICROCHIP15+TQFP
PCF8591T13260PHILIPS16+CONTENTINO
MD1211LG-G5830SUPERTEX16+QFN
NDS332P40000FAIRCHILD16+SOT-23
NCP1117STAT3G10000SU16+SOT-223
SAK-XC164CM-16F40FBA500 13+LQFP-64
ZTX1053A3980ZETEX13+TO-92S
M29F200BB-70N63841St16+TSSOP
OPA347NA7440TI14+SOT23-5





PRODOTTI RELATIVI
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Immagine parte # Descrizione
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ:
10pcs
Contattaci
Indirizzo: Stanza 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
Email: sales@cmhk-ic.com
Telefono: 86-755-88367702
prodotti

Chip di IC di memoria flash

Chip programmabile di IC

Il computer IC scheggia

Driver ICs del LED

Gestione CI di potere

Chip a circuito integrato

Unità microcontrollore MCU

Driver ICs dell'esposizione

Modulo di alimentazione IGBT

L'amplificatore IC scheggia
Circa noi
Circa noi Certificato di iso Controllo di qualità Norme sulla privacy Centro di aiuto
Norme sulla privacy | Buona qualità della Cina Chip di IC di memoria flash Fornitore. © di Copyright 2023 icmemorychip.com . Tutti i diritti riservati.