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Transistor di potenza di plastica del silicio complementare di elettronica di IC del chip del circuito integrato del transistor di BD243C TO-220

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A 65 W Through Hole TO-220-3
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Temperature Range:
–65°C to +150°C
Payment Term:
T/T, Paypal, Western Union
Voltage:
1.5V
Power Dissipation:
60W
Package:
TO-220
Factory Package:
50PCS/TUBE
Punto culminante:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introduzione

BD244B, BD244C* (PNP)

Transistor di potenza di plastica del silicio complementare

Caratteristiche

•Collettore - tensione di saturazione dell'emettitore - VCE (si è seduto) = (massimo) 1,5 VCC @ IC = 6,0 ADC

•Tensione di mantenimento dell'emettitore del collettore - VCEO (sus) = 80 VCC (min)

- BD243B, BD244B = 100 VCC (min) - BD243C, BD244C

•Prodotto a corrente forte di larghezza di banda di guadagno fT = 3,0 megahertz (min)

@ IC = mAdc 500 •I pacchetti senza Pb sono Available* mA

Una parte dell'elenco di collezioni

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