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Casa > prodotti > chip elettronici di CI > IL SILICIO COMPLEMENTARE di MJF122G ALIMENTA DARLICM GROUPONS 5,0 A, 100 V, mosfet doppio di potere del mosfet di potere di alta tensione di 30 W

IL SILICIO COMPLEMENTARE di MJF122G ALIMENTA DARLICM GROUPONS 5,0 A, 100 V, mosfet doppio di potere del mosfet di potere di alta tensione di 30 W

IL SILICIO COMPLEMENTARE di MJF122G ALIMENTA DARLICM GROUPONS 5,0 A, 100 V, mosfet doppio di potere del mosfet di potere di alta tensione di 30 W
IL SILICIO COMPLEMENTARE di MJF122G ALIMENTA DARLICM GROUPONS 5,0 A, 100 V, mosfet doppio di potere del mosfet di potere di alta tensione di 30 W
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220FP
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
ÎÎ:
100 V
VRRM:
75 V
VR(RMS):
53 V
IFM:
300 mA
IO:
200 mA
Punto culminante:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introduzione

Potere complementare DarliCM GROUPons

Per le applicazioni isolate del pacchetto

Progettato per gli amplificatori del general−purpose e le applicazioni di commutazione, dove la superficie di montaggio del dispositivo è richiesta per essere isolata elettricamente dal dissipatore di calore o dal telaio.

Caratteristiche

• Elettricamente simile al TIP122 e al TIP127 popolari

• 100 VCEO (sus)

• 5,0 una corrente di collettore stimata

• Nessuna rondella d'isolazione ha richiesto

• Costo di sistema riduttore

• Alto − 2000 (min) @ IC di guadagno corrente di CC = 3 ADC

• L'UL ha riconosciuto, archivio #E69369, ad un isolamento di 3500 VRMS

• I pacchetti di Pb−Free sono Available*

Risposta termica

Ci sono due limitazioni del potere che tratta l'abilità di un transistor: temperatura di giunzione media e seconda ripartizione. Le curve di area di funzionamento sicuro indicano che − VCE di IC limita del transistor che deve essere osservato per l'operazione affidabile; cioè, il transistor non deve essere sottoposto alla maggior dissipazione che le curve indicano.

I dati di figura 5 sono basati su TJ (PK) = 150C; Il TC è variabile secondo le circostanze. I limiti secondari di impulso di ripartizione sono validi per i duty cycle a TJ fornito 10% (PK) < 150C="">

ELENCO DI COLLEZIONI

CXA3834M 2531 SONY 15+ CONTENTINO
NS8002 40000 NSIWAY 16+ CONTENTINO
MP8707EN-LF-Z 5854 MP 16+ CONTENTINO
MAP3202 3234 MAGNACHIP 16+ CONTENTINO
PS20660-MRZ 200 MITSUBISH 05+ MODULO
PK55GB80 80 SANREX 12+ MODULO
BSM200GD60DLC 368 EUPEC 14+ MODULO
LV8401V-TLM-E 5128 SU 16+ SSOP
2DI150D-050C 991 FUJI 14+ MODULO
QM50HA-H 300 MITSUBISH 13+ MODULO
XC3S250E-4TQG144C 1968 XILINX 15+ QFP144
CY7C68014A-100AXC 1156 CYPRESS 15+ QFP
LP2985A-10DBVR 4710 TI 15+ SOT-23-5
PB4350 10940 16+ SOT-23
M27C512-70XF1 4087 St 16+ IMMERSIONE
QM200DY-H 250 MITSUBISH 12+ MODULO
ATTINY85-20PU 500 ATMEL 14+ DIP-8
A50L-0001-0284 100 FUJI 10+ MODULO
PC357N1TJ00F 10000 TAGLIENTE 16+ CONTENTINO
2MBI150US-120-50 388 FUJI 14+ MODULO
2MBI75P-140 523 FUJI 12+ MODULO
LNK364PN 4211 POTERE 15+ DIP-7
RA30H2127M 200 MITSUBISH 12+ MODULO
CM110YE4-12F 228 MITSUBI 15+ MODULO
MRF321 642 MOT 14+ TO-55s
A3972SB 1000 ALLEGRO 13+ DIP-24
MR4010 6253 SHINDENGE 16+ TO220-7
PMD1000 5000 ALLEGRO 10+ QFP-48
LTC2294IUP 726 LT 15+ QFN

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