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Mosfet doppio di potere del mosfet di potere ad alta tensione del MOSFET di potere di IRFB20N50K

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
N-Channel 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
VDS (V):
500
RDS(on) (Ω):
VGS = 10 V / 0.21
Qg (Max.) (nC):
110
Qgs (nC):
33
Qgd (nC):
54
Punto culminante:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introduzione

ELENCO DI COLLEZIONI


740L6000 4660 FAIRCHILD 16+ DIP6
AT24C16N-10SC-2.7 4666 ATMEL 16+ SOP8
BD9897FS 4711 ROHM 15+ SSOP32
DS90CR215MTD 4711 NS 16+ TSSOP
MAX3223ECAP 4711 MASSIMO 15+ SSOP20
MP1542DK-LF 4711 MP 12+ MSOP-8
TLC271CDRG4 4711 TI 16+ SOP8
HMC1052L 4719 HONEYWELL 12+ QFN-16
DR127-6R8-R 4772 BOTTAIO 16+ SMD
LM1117MP-5 4775 NS 16+ SOT-223
TL071CP 4777 TI 16+ DIP8
TDA4863G 4778 16+ SOP-8
BD438 4800 St 16+ TO-126
DS1232LP 4800 MASSIMO 14+ SOP8
HPR8200 4800 HP 16+ DIP4
LM2903DR 4800 TI 16+ SOP8
LM340T-5.0 4800 NS 15+ TO-220
LT1070HVCT 4800 LINEARE 16+ TO-220
TLE7209-2R 4800 15+ SOP20
LT1071CT 4850 LINEARE 12+ TQ220
LH1522AB 4877 VISHAY 16+ DIP-8
IR2106S 4887 IR 12+ SOP8
FMMT549 4888 ZETEX 16+ SOT-23
MC7905ACD2TG 4888 SU 16+ 3D2PAK
PCA82C251T/N3,118 4900 16+ SOP8
2SK3563 4960 TOSHIBA 16+ TO-220F
MAX485CSA 4991 MASSIMO 16+ SOP8
74HC4053N 4998 14+ IMMERSIONE
M27C2001-12F1 4999 St 16+ IMMERSIONE
24LC16BT-I/SN 5000 MICROCHIP 16+ SOP-8
24LC512-I/P 5000 MICROCHIP 15+ IMMERSIONE
2N5308 5000 FAIRCHILD 16+ TO-92
2SC3075 5000 TOSHIBA 15+ TO-252
2SK3918-ZK-E1 5000 NEC 12+ TO-252
6301KSGT 5000 BROADCOM 16+ SOP-8
74AUP1G00GM 5000 12+ SOT886
74VHCT245AMX 5000 FAIRCHILD 16+ CONTENTINO
81C55 OKI 5000 OKI 16+ IMMERSIONE
87832-1420 5000 MOLEX 16+ IMMERSIONE
ADM485JR 5000 ANNUNCIO 16+ CONTENTINO
ADP3338-3.3 5000 ADI 16+ SOT-223
AT28C256-15PU 5000 ATMEL 14+ IMMERSIONE
AT45DB321D-SU 5000 ATMEL 16+ SOP-8
AT93C66A-10SU-2.7 5000 ATMEL 16+ SOP-8
ATTINY13A-PU 5000 ATMEL 15+ IMMERSIONE
BC327-25 5000 PHI 16+ TO-92
BC846A 5000 15+ SOT-23


IRFB20N50K

Mosfet doppio di potere del mosfet di potere ad alta tensione del MOSFET di potere

CARATTERISTICHE

• Risultati bassi di Qg della tassa del portone nel requisito semplice dell'azionamento

• Portone migliore, valanga ed irregolarità dinamica di dV/dt

• Capacità e tensione e corrente di valanga completamente caratterizzate

• RDS basso (sopra)

• Disponibile senza del cavo (Pb)

APPLICAZIONI

• Alimentazione elettrica di modo del commutatore (SMPS)

• Gruppo di continuità

• Commutazione di potenza ad alta velocità

• Circuiti duro commutati ed ad alta frequenza

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