Invia messaggio
Casa > prodotti > chip elettronici di CI > Diodo di raddrizzatore di elettronica di IC del chip del cappuccio della perla di ferrite di DLW21SN900SQ2L SMD SMD

Diodo di raddrizzatore di elettronica di IC del chip del cappuccio della perla di ferrite di DLW21SN900SQ2L SMD SMD

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Bobina di arresto di modo comune a 2 linee A montaggio superficiale 90 Ohm a 100 MHz 330 mA DCR 350
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Gamma di temperature:
– 65°C a +150°C
termine di pagamento:
T/T, Paypal, Western Union
Tensione:
– 0.3V a +32V
Corrente:
+-10mA
Pacchetto:
SMD
Pacchetto della fabbrica:
2000/REEL
Punto culminante:

multilayer ceramic chip capacitors

,

smd ceramic capacitor

Introduzione

Diodo di raddrizzatore di elettronica di IC del chip del cappuccio della perla di ferrite di DLW21SN900SQ2L SMD SMD
Il cavo comune della bobina di bobina d'arresto del modo ferisce il tipo la serie di DLW21S (dimensione 0805)


VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE (1)

VCC al VSS ........................................................................... – 0.3V a +32V VCC a terra ......................................................................... – 0.3V a +16V VSS a terra ......................................................................... +0.3V – 16V VREFH a terra ....................................................................... – a 9V a +11V VREFL a terra (VSS = – 15V) ................................................. – 11V a +9V VREFL a terra (VSS = 0V) .................................................... – 0.3V a +9V VREFH a VREFL ....................................................................... – 1V a tensione in ingresso di +22V Digital a terra .............................................. – 0.3V a tensione in uscita di 5.8V Digital a terra ............................................ – 0.3V alla gamma di temperatura di funzionamento massima di temperatura di giunzione 5.8V ................................................... +150°C ........................................ – 40°C alla gamma di temperature di stoccaggio di +85°C ......................................... – 65°C alla temperatura del cavo di +150°C (saldare, 10s) ............................................... +300°C


TRASPORTO BC847BLT1 18000 SU La CINA
RC0805JR-0710KL 35000 YAGEO La CINA
RC0805JR-071KL 20000 YAGEO La CINA
DIODO DF06S 3000 SETTEMBRE La CINA
CAPPUCCIO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB 20000 TDK Il GIAPPONE
DIODO US1A-13-F 50000 DIODI La MALESIA
INDUTOR. 100UH SLF7045T-101MR50-PF 10000 TDK Il GIAPPONE
Ricerca 470R 5% RC0805JR-07470RL 500000 YAGEO La CINA
Ricerca 1206 2M 1% RC1206FR-072ML 500000 YAGEO La CINA
DIODO P6KE180A 10000 VISHAY La MALESIA
Ricerca 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL 500000 YAGEO La CINA
MUNIZIONI DI DIODO UF4007 500000 MIC La CINA
TRANS. ZXMN10A09KTC 20000 ZETEX TAIWAN
Ricerca 0805 4K7 5%
RC0805JR-074K7L
500000 YAGEO La CINA
ACOPLADOR OTICO. MOC3021S-TA1 10000 LITE-ON TAIWAN
TRASPORTO MMBT2907A-7-F 30000 DIODI La MALESIA
TRASPORTO STGW20NC60VD 1000 St La MALESIA
C.I LM2576HVT-ADJ/NOPB 500 TI La TAILANDIA
C.I MC33298DW 1000 MOT La MALESIA
C.I MC908MR16CFUE 840 FREESCAL La MALESIA
C.I P8255A5 4500 INTEL Il GIAPPONE
C.I HM6116P-2 5000 HITACHI Il GIAPPONE
C.I DS1230Y- 150 2400 DALLAS FILIPPINE
TRANS. ZXMN10A09KTC 18000 ZETEX TAIWAN
TRIAC BT151-500R 500000 Il MAROCCO
C.I HCNR200-000E 1000 AVAGO TAIWAN
TRIAC TIC116M 10000 TI La TAILANDIA
DIODO US1M-E3/61T 18000 VISHAY La MALESIA
DIODO ES1D-E3-61T 18000 VISHAY La MALESIA
C.I MC908MR16CFUE 840 FREESCAL TAIWAN
C.I CD40106BE 250 TI La TAILANDIA
ACOPLADOR PC733H 1000 TAGLIENTE Il GIAPPONE
TRASPORTO NDT452AP 5200 FSC La MALESIA
CI LP2951-50DR 1200 TI La TAILANDIA
CI MC7809CD2TR4G 1200 SU La MALESIA
DIODO MBR20200CTG 22000 SU La MALESIA
FUSIVEL 30R300UU 10000 LITTELFUSEI TAIWAN
C.I TPIC6595N 10000 TI La TAILANDIA
EPM7064STC44-10N 100 ALTERA La MALESIA
DIODO 1N4004-T 5000000 MIC La CINA
C.I CD4060BM 500 TI La TAILANDIA
ACOPLADOR MOC3020M 500 FSC La MALESIA
DIODO W08 500 SETTEMBRE La CINA
C.I SN74HC373N 1000 TI FILIPPINE
FOTOCELLULA 2SS52M 500 Honeywell Il GIAPPONE
C.I SN74HC02N 1000 TI La TAILANDIA
C.I CD4585BE 250 TI La TAILANDIA
C.I MT46H32M16LFBF-6IT: C 40 MICRON La MALESIA
DIODO MMSZ5242BT1G 30000 SU La MALESIA


caratteristiche di Impedenza-frequenza di caratteristiche di Impedenza-frequenza di c (oggetti principali) c

Serie DLW21SN_SK2/SQ2 (Oggetti principali) serie DLW21SN_HQ2

PRODOTTI RELATIVI
Immagine parte # Descrizione
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Raddrizzatore MEGA basso SOD123  della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ:
2000pcs