Resistenza termica bassa ultrabassa di Circuit NCh NexFET PWR del driver del motore del Mosfet di CSD17308Q3 CSD17308Q3T Qg
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
MOSFET del MOSFET 30V NCh NexFET PWR del transistor di potenza del Mosfet di CSD17308Q3 CSD17308Q3T
Caratteristiche 1
- Ottimizzato per l'azionamento del portone 5-V
-
Qg ultrabasso e Qgd
-
Resistenza termica bassa
-
Valanga valutata
-
Placcatura terminale libera del Pb
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RoHS compiacente
-
Alogeno libero
-
VSON 3,3 millimetri di × un pacchetto di plastica da 3,3 millimetri
2 applicazioni
-
Punto del taccuino del carico
-
Dollaro sincrono del Punto-de-carico nella rete, nelle Telecomunicazioni e nei sistemi informatici
Descrizione 3
Questo 30-V, 8,2 mΩ, 3,3 MOSFET di potere di millimetro VSON NexFETTM del × 3,3 di millimetro è destinato per minimizzare le perdite nelle applicazioni di trasformazione dell'energia ed è ottimizzato per le applicazioni dell'azionamento del portone 5-V.
Riassunto del prodotto
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TUM = 25°C |
VALORE |
UNITÀ |
||
|
VDS |
tensione di Scolo--fonte |
30 |
V |
|
|
Qg |
Totale della tassa del portone (4,5 V) |
3,9 |
nC |
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|
Qgd |
Portone della tassa del portone da vuotare |
0,8 |
nC |
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RDS (sopra) |
Scolo--fonte su resistenza |
VGS = 3 V |
12,5 |
mΩ |
|
VGS = 4,5 V |
9,4 |
mΩ |
||
|
VGS = 8 V |
8,2 |
mΩ |
||
|
VGS (Th) |
Tensione della soglia |
1,3 |
V |
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Informazioni di ordinazione
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DISPOSITIVO |
QTY |
MEDIA |
PACCHETTO |
NAVE |
|
CSD17308Q3 |
2500 |
bobina a 13 pollici |
FIGLIO 3,3 millimetri di × un pacchetto di plastica da 3,3 millimetri |
Nastro e bobina |
Valutazioni massime assolute
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TUM = 25°C salvo indicazioni contrarie |
VALORE |
UNITÀ |
|
|
VDS |
tensione di Scolo--fonte |
30 |
V |
|
VGS |
tensione di Portone--fonte |
+10/– 8 |
V |
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Identificazione |
Corrente continua dello scolo (pacchetto limitato) |
50 |
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Corrente continua dello scolo, TC = 25°C |
44 |
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Corrente continua dello scolo (1) |
14 |
||
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IDM |
Corrente pulsata dello scolo, TUM = 25°C (2) |
167 |
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Palladio |
Dissipazione di potere (1) |
2,7 |
W |
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Dissipazione di potere, TC = 25°C |
28 |
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TJ, Tstg |
Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione |
– 55 - 150 |
°C |
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EAS |
Energia della valanga, singola identificazione =36A, L=0.1mH, RG =25Ω di impulso |
65 |
mJ |