MOSFET 12V 9.3mohm di potere del MOSFET N-CH dell'orologio del transistor di potenza del Mosfet CSD13202Q2
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
MOSFET 12V 9.3mohm di potere del MOSFET N-CH dell'orologio del transistor di potenza del Mosfet CSD13202Q2
Caratteristiche 1
- Qg ultrabasso e Qgd
-
Resistenza termica bassa
-
Valanga valutata
-
Placcatura terminale senza piombo
-
RoHS compiacente
-
Alogeno libero
-
FIGLIO 2 millimetri di × un pacchetto di plastica da 2 millimetri
2 applicazioni
-
Ottimizzato per le applicazioni del commutatore del carico
-
Stoccaggio, compresse e dispositivi tenuti in mano
-
Ottimizzato per le applicazioni del FET di controllo
-
Punto del carico Buck Converters sincrono
Descrizione 3
Questo 12-V, MOSFET di potere di NexFETTM di 7,5 mΩ è stato destinato per minimizzare le perdite nelle applicazioni della gestione del carico e di trasformazione dell'energia. La prestazione termica eccellente di offerte del × 2 del FIGLIO 2 per la dimensione del pacchetto.
Riassunto del prodotto
|
TUM = 25°C |
VAUE TIPICO |
UNITÀ |
||
|
VDS |
Tensione di Scolo--fonte |
12 |
V |
|
|
Qg |
Totale della tassa del portone (4,5 V) |
5,1 |
nC |
|
|
Qgd |
Portone--scolo della tassa del portone |
0,76 |
nC |
|
|
RDS (sopra) |
Su resistenza di Scolo--fonte |
VGS = 2,5 V |
9,1 |
mΩ |
|
VGS = 4,5 V |
7,5 |
|||
|
VGS (Th) |
Tensione della soglia |
0,8 |
V |
|
Informazioni del dispositivo
|
DISPOSITIVO |
MEDIA |
QTY |
PACCHETTO |
NAVE |
|
CSD13202Q2 |
bobina a 7 pollici |
3000 |
FIGLIO 2,00 millimetri di × un pacchetto di plastica da 2,00 millimetri |
Nastro e bobina |
Valutazioni massime assolute
|
TUM = 25°C |
VALORE |
UNITÀ |
|
|
VDS |
Tensione di Scolo--fonte |
12 |
V |
|
VGS |
Tensione di Portone--fonte |
±8 |
V |
|
Identificazione |
Corrente continua dello scolo (limite del pacchetto) |
22 |
|
|
Corrente continua dello scolo (1) |
14,4 |
||
|
IDM |
Corrente pulsata dello scolo, TUM = 25°C (2) |
76 |
|
|
Palladio |
Dissipazione di potere (1) |
2,7 |
W |
|
TJ, TSTG |
Giunzione di funzionamento, temperatura di stoccaggio |
– 55 - 150 |
°C |
|
EAS |
Energia della valanga, singola identificazione =20A, L=0.1mH, RG =25Ω di impulso |
20 |
mJ |