MT29F64G08CBABAWP: Memoria di massa di plastica del chip di memoria 8GX8 PBF TSOP 3.3V di B Nand Flash IC
serial flash chip
,circuit board chips
MT29F64G08CBABAWP:B IC Memory Chip NAND FLASH 8GX8 PLASTIC PBF TSOP 3,3V MASS STORAGE
Caratteristiche
• Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0 conforme1
• Tecnologia delle celle a livello unico (SLC)
• Organizzazione ️ Dimensione della pagina x8: 2112 byte (2048 + 64 byte) ️ Dimensione della pagina x16: 1056 parole (1024 + 32 parole) ️ Dimensione del blocco: 64 pagine (128K + 4K byte) ️ Dimensione del piano:2 piani x 2048 blocchi per piano: 4Gb: 4096 blocchi; 8Gb: 8192 blocchi 16Gb: 16.384 blocchi
• Performance di I/O asincrona: tRC/tWC: 20ns (3,3V), 25ns (1,8V)
• Performance dell'array ¢ pagina di lettura: 25μs 3 ¢ pagina del programma: 200μs (TYP: 1.8V, 3.3V) 3 ¢ blocco di cancellazione: 700μs (TYP)
• Set di comandi: ONFI NAND Flash Protocol
• Set di comandi avanzati ️ modalità di cache della pagina del programma4 ️ modalità di cache della pagina di lettura4 ️ modalità programmabile una volta sola (OTP) ️ comandi a due piani 4 ️ operazioni a die interleaved (LUN) ️ lettura dell'ID univoco ️ blocco di blocco (1.8V soltanto)
• L' byte dello stato dell'operazione fornisce un metodo software per rilevare lo stato di completamento dell'operazione
• Il segnale Ready/Busy# (R/B#) fornisce un metodo hardware per rilevare il completamento delle operazioni
• Segnale WP#: Scrivere proteggere tutto il dispositivo
| Attributi del prodotto | Selezionare tutti |
| Categorie | Circuiti integrati (CI) |
| Memoria | |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Status della parte | Attivo |
| Tipo di memoria | Non volatili |
| Formato di memoria | Flash |
| Tecnologia | Flash - NAND |
| Dimensione della memoria | 64 GB (8G x 8) |
| Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina | - |
| Interfaccia della memoria | Parallelamente |
| Voltaggio - Fornitura | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Temperatura di funzionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |
MT48LC4M16A2TG-75 L'IT: MICRON TSOP4 megaohm banche di X 4 x 4 di IC sincrono di Dram di G TR
M45PE10-VMN6P IC di memoria flash NUOVO E ORIGINALE
MT25QL512ABB1EW9-0SIT Memoria flash IC NUOVA E ORIGINALE
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N25Q128A13BSF40F TR STOCK NUOVO E ORIGINALE
MX30LF2G18AC-TI Nuovo e originale
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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MT48LC4M16A2TG-75 L'IT: MICRON TSOP4 megaohm banche di X 4 x 4 di IC sincrono di Dram di G TR |
SDRAM Memory IC 64Mbit Parallel 133 MHz 5.4 ns 54-TSOP II
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M45PE10-VMN6P IC di memoria flash NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR Memory IC 1Mbit SPI 75 MHz 8-SO
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MT25QL512ABB1EW9-0SIT Memoria flash IC NUOVA E ORIGINALE |
FLASH - NOR Memory IC 512Mbit SPI 133 MHz 8-WPDFN (8x6) (MLP8)
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N25Q128A13EF740F STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 8-VDFPN (6x5) (MLP8)
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PF48F3000P0ZTQEA STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit Parallel 52 MHz 65 ns 88-SCSP (8x10)
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N25Q128A13ESF40F TR STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 16-SO
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N25Q064A13ESE40F TR STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR Memory IC 64Mbit SPI 108 MHz 8-SO W
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N25Q128A11EF840F TR STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 8-VDFPN (MLP8) (8x6)
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N25Q128A13BSF40F TR STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 16-SOP2
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MX30LF2G18AC-TI Nuovo e originale |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gbit Parallel 20 ns 48-TSOP
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