W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
Specifiche
PN:
W25N01GVZEIG
Marchi:
WINBOND
Originale:
La TW
Voltaggio:
3V
MEMBORY:
1G-BIT
tipo:
SLC Nand Flash Memory IC
Punto culminante:
SLC Nand Flash Memory IC
,1G BIT Flash Memory IC
,SPI Memory Array IC
Introduzione
W25N01GVZEIG 3V 1G-BIT SERIAL SLC NAND FLASH MEMORY con doppio/quad SPI
Buffer READ & CONTINUOUS READ (Leggiamo e continuiamo a leggere)
3V 1G-BIT
Serial SLC NAND FLASH MEMORY con
Dual / Quad SPI
Buffer READ & CONTINUOUS READ (Leggiamo e continuiamo a leggere)
1Descrizioni generali
La memoria flash NAND Serial SLC W25N01GV (1G-bit) fornisce una soluzione di archiviazione per sistemi con
La famiglia W25N SpiFlash incorpora la popolare interfaccia SPI e la
Sono ideali per l'ombreggiamento del codice alla RAM, l'esecuzione
Il dispositivo funziona su un singolo sistema di controllo di velocità (SCP) con un sistema di controllo di velocità (SCP).
2.7V a 3.6V di alimentazione con un consumo di corrente inferiore a 25mA attivo e 10μA in standby.
I dispositivi della famiglia SpiFlash sono offerti in pacchetti di risparmio di spazio che in passato erano impossibili da utilizzare per
la tipica memoria flash NAND.
L'array di memoria W25N01GV 1G-bit è organizzato in 65.536 pagine programmabili di 2.048 byte ciascuna.
L'intera pagina può essere programmata in una sola volta utilizzando i dati del buffer interno di 2.048 byte.
Il W25N01GV ha 1.024 blocchi cancellabili.
Il W25N01GV supporta l'interfaccia periferica seriale standard (SPI), SPI I/O doppio/quad: orologio seriale,
Chip Select, Serial Data I/O0 (DI), I/O1 (DO), I/O2 (/WP) e I/O3 (/HOLD).
104 MHz sono supportati consentendo tassi di clock equivalenti di 208 MHz (104 MHz x 2) per doppio I/O e 416 MHz
(104MHz x 4) per l'I/S Quad quando si utilizzano le istruzioni Fast Read Dual/Quad I/O.
Il W25N01GV fornisce una nuova modalità di lettura continua che consente un accesso efficiente all'intero
Questa funzionalità è ideale per applicazioni di shadowing di codice.
Un pin Hold, un pin Write Protect e una protezione da scrittura programmabile, offrono ulteriore flessibilità di controllo.
Inoltre, il dispositivo supporta il produttore standard JEDEC e l'ID del dispositivo, un ID univoco da 2.048 byte
pagina, una pagina di parametri da 2.048 byte e dieci pagine OTP da 2.048 byte.
Gestibilità della memoria, ECC interna configurabile dall'utente, gestione dei blocchi cattivi sono disponibili anche in
W25N01GV.
2. caratteristiche
• Nuova famiglia di memorie SpiFlash W25N
W25N01GV: 1G-bit / 128M-byte
¢ SPI standard: CLK, /CS, DI, DO, /WP,/Hold
¢ doppio SPI: CLK, /CS, IO0, IO1, /WP, /Hold
¢ Quad SPI: CLK, /CS, IO0, IO1, IO2, IO3
Comandi flash seriali compatibili con SPI
• Flash NAND seriale ad alte prestazioni
️ orologi SPI standard/dual/quad a 104 MHz
️ 208/416MHz equivalente SPI doppio/quadruplo
¢ velocità di trasferimento continuo di dati di 50 MB/s
Performance di programmazione/cancellazione veloce
¢ Più di 100.000 cicli di cancellazione/programma
¢ conservazione dei dati per più di 10 anni
• Efficienza Modalità di lettura continua ((1)
Metodo alternativo alla modalità di lettura del buffer
Non è necessario rilasciare Pagina dati letto tra i comandi di lettura
Permette l'accesso diretto alla lettura dell'intera matrice
• Poca potenza, ampia gamma di temperature
¢ alimentazione unica da 2,7 a 3,6 V
Corrente attiva di 25 mA, corrente in standby di 10 μA
️ gamma di funzionamento da -40°C a +85°C
• Architettura flessibile con blocchi da 128KB
– Uniform 128K-Byte Block Erase
Metodi flessibili di caricamento dei dati della pagina
• Caratteristiche avanzate
On chip 1-Bit ECC per la memoria array
Bits di stato ECC indicano i risultati ECC
¢ cattiva gestione dei blocchi e accesso ai LUT (II)
Protezione da scrittura per software e hardware
– Power Supply Lock-Down and OTP protection
2KB ID univoco e 2KB pagine di parametri
10 pagine OTP da 2KB (3)
• Imballaggi a basso consumo di spazio
– 8-pad WSON 8x6-mm
¢ SOIC a 16 pin 300 millimetri
️ 24 sfere TFBGA 8x6 mm
Per altre opzioni di pacchetto contatta Winbond
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