Tensione VISHAY del contrappeso di potere di impulso di punta SMBJ170A-E3/52 600W 17V
fabbricante:
VISHAY
Descrizione:
275V supporto di superficie DO-214AA (SMBJ) del diodo del morsetto 2.2A Ipp TV
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
To be negotiated
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
PN:
SMBJ170A-E3/52
Marche:
VISHAY
Originale:
Stati Uniti
Potere di impulso di punta :
600W
Tensione del contrappeso:
17V
Pacco:
SMBJ170A-E3/52 DO-214AA/SMB
Punto culminante:
600W Peak Pulse Power Transistors
,17V Peak Pulse Power Transistors
,SMBJ170A-E3/52 NPN Transistors
Introduzione
SMBJ170A-E3/52 Potenza massima dell'impulso 600WTensione di fermo 17V VISHAY
Caratteristiche
¥Caso: DO-214AA/SMB
Per applicazioni montate in superficie al fine di ottimizzare lo spazio della scheda.
Polarità: banda di colore indicata fine positiva (cathode) tranne bidirezionale.
¢Tipico modo di guasto è corto da tensione o corrente sovraspecificata
¢Saldatura ad alta temperatura: 260°C/10 secondi ai terminali.
¢Terminale: saldatura, saldabile secondo MIL-STD-750, metodo 2026.
Informazioni generali
La serie SMB-H è progettata per proteggere i componenti sensibili alla tensione
hanno un'eccellente capacità di serraggio, elevata tensione, transienti ad alta energia
La serie SMB-H è dotata di un'ampia gamma di dispositivi per la trasmissione di energia elettrica, con capacità di sovraccarico, bassa impedenza zener e tempo di risposta veloce.
Il prodotto è stato fornito in esclusiva da YINT Semiconductor, è conveniente, altamente affidabile ed è
con una lunghezza massima di 20 mm o più, ma non superiore a 30 mm
I sistemi di controllo dei processi, le attrezzature mediche, le macchine aziendali, gli alimentatori e molti altri
Altre applicazioni industriali/consumatori.
Applicazioni
I dispositivi TVS sono ideali per la protezione delle interfacce I/O,
Bus VCC e altri circuiti vulnerabili utilizzati nelle telecomunicazioni, nell'informatica, nell'industria
e applicazioni elettroniche di consumo.
Nota:
1Impulso di corrente non ripetitivo, per grafico di pulsazione e derato al di sopra di TA = 25 °C per curva di deratazione dell'impulso.
2- Giunzione di resistenza termica a piombo.
3. 8,3 ms Ciclo di funzionamento a onda sinusoidale singola = 4 impulsi al massimo al minuto (solo unità unidirezionali).
4. singola fase, mezza onda, 60 Hz, carico resistivo o induttivo. per carico capacitivo, scaricare la corrente del 20%.
5. VF < 3,5 V per VBR < 200 V e VF < 5,0 V per VBR > 201 V.
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